Импульсный источник суперконтинуума 1100-2000 нм OESCS-100P-2L

  • Рабочий диапазон: 1100-2000 нм
  • Оптическая мощность: > 20 мВт
  • Ширина спектра: 900 нм
  • Длительность импульса: 8-12 пс
  • Частота повторения: 0.2 Гц — 20 МГц
Спецификация

Описание

OESCS-100 P  — это серия импульсных источников суперконтинуума с различной спектральной шириной генерации в диапазоне от 1 до 5 мкм, действие которых основано на передовой технологии O/E Land использующей нелинейные оптических эффектах в активных волокнах. Устройства обеспечивают высокую выходную мощность до 2 Вт через одномодовое оптическое волокно (SMF) и предназначены, в первую очередь, для задач инфракрасной спектрометрии, тестирования быстродействующих фотодетекторов коротковолнового и средневолнового ИК диапазон, средств противодействия системам теплонаведения и научных исследований.

Технические характеристики

МодельOESCS-100P-2L
Спектральный диапазон1100-2000 нм
Ширина спектра (по уровню - 10 дБ)900 нм
Выходная оптическая мощность> 20 мВт
Длительность импульса8-12 пс
Частота следования импульсов0.2 Гц - 20 МГц
Тип поляризациислучайная или линейная
Тип выходного волокнаSMF
Тип оптического разъемаFC/APC, другой по запросу
Регулировка оптической мощностиналичие
Второй оптический выходпо запросу
Рабочая температура5 - 45 С
Габариты (модель - под ключ)70x190x310 мм

О производителе

O/E LAND INC. — один из лидеров североамериканского рынка лазерных систем и широкополосных источников излучения, построенных на принципе усиления оптического излучения в легированных оптических волокнах. Компания специализируется на производстве волоконных Брэгговских решеток, датчиков ВБР и измерительных систем для их опроса, фазовых масок, широкополосных ASE-источников, непрерывных и импульсных волоконных лазеров, линзированных волокон, волоконных матриц, драйверов лазерных диодов, миниатюрных температурных камер, элементов системы оптической накачки, пассивных волоконно-оптических компонентов, устройств управления параметрами излучения, а также других элементов микрооптики и оптоэлектроники.