Лазерные диоды 25G MWDM

  • Длина волны 1267-1374 нм
  • Оптическая мощность 7 мВт
  • Рабочая температура +50℃ TEC
Спецификация

Описание

Серия DL-DFBxxy06D-25-TM-NH — это одномодовый DFB лазер с частотой прямой модуляции до 25 Гбит/с, разработанный специально для цифровых MWDM сетей. В этой серии лазерных чипов используется дизайн активной области гетероструктуры с несколькими квантовыми ямами InGaAlAs, интегрированной с гребенчатым волноводом. Приборная структура рассчитана на работу с TE-охлаждением в негерметичной упаковке. Лазерные диоды этой серии отличаются низким порогом генерации, широкой полосой пропускания и стабильной высокой оптической мощностью.

Технические характеристики

Параметр Условия измерения Мин Тип Макс Ед изм.
Пороговый ток (Ith) 25°C 9 15 мА
75°C 25
Оптическая мощность 25°C, Ith+30мА 6 7 мВт
Прямое смещение 25°C, Ith+30мА 2 В
Дифференциальная эффективность 25°C, Ith+30мА 0.25 мВт/мА
Рабочий ток 50°C 60 мА
 

 

 

Центральная длина волны

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50°C/50мА

 

 

 

 

 

 

1265 1267.5 1270 нм
1272 1274.5 1277 нм
1285 1287.5 1290 нм
1292 1294.5 1297 нм
1305 1307.5 1310 нм
1312 1314.5 1317 нм
1325 1327.5 1330 нм
1332 1334.5 1337 нм
1345 1347.5 1350 нм
1352 1354.5 1357 нм
1365 1367.5 1370 нм
1372 1374.5 1377 нм
Коэффициент подавления боковых мод (SMSR) 50°C/50мА 30 35 дБ
Температурный сдвиг центральной длины волны CW 0.1 нм/°C
Сопротивление Ith+30мА 10 Ом
Полоса пропускания (3 дБ) 25°C, 50мА 20 ГГц
75°C, 60мА 15.5
Частота затухания колебаний 75°C, 60мА 10 ГГц

О производителе

Denselight Semiconductors — это вертикальное полностью интегрированное серийное производство: от изготовления эпитаксиальных полупроводниковых пластин до тестирования и упаковки plug & play источников излучения. Инженерные, испытательные и производственные помещения расположены в чистом помещении площадью 15 000 кв. футов. Компания предлагаем комплексные решения для пользователей, представляющих как промышленные, так и научно-исследовательские организации, ведущие свою деятельность в области оптических телекоммуникаций, диагностического медицинского оборудования и оптической сенсорики. Линейка продукции компании включает: эпитаксиальные гетероструктуры на основе группы материалов InP/InGaAsP/AlGaAs, чиповые структуры FP, DFB лазеров и оптических усилителей (SOA), корпусированные лазерные диоды и суперлюминесцентные диоды с волоконным выводом излучения, узкополосные лазерные модули и широкополосные источники суперлюминесцентного излучения. Все продукты компании проходят жесткий контроль качества на всех этапах производства.