Каталог
Лазерные диоды 25G LWDM
- Длина волны 1269-1318 нм
- Оптическая мощность 7 мВт
- Рабочая температура +50℃ TEC
Описание
Серия DL-DFBxxy06D-25-TL-NH — это одномодовый DFB лазер с частотой прямой модуляции до 25 Гбит/с, разработанный специально для цифровых LWDM сетей. В этой серии лазерных чипов используется дизайн активной области гетероструктуры с несколькими квантовыми ямами InGaAlAs, интегрированной с гребенчатым волноводом. Приборная структура рассчитана на работу c TE-охлаждением и без герметичной упаковки. Лазерные диоды этой серии отличаются низким порогом генерации, широкой полосой пропускания и стабильной высокой оптической мощностью.
Технические характеристики
| Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс | Ед изм |
| Пороговый ток (Ith) | 25°C | 9 | 15 | мА | |
| 75°C | 25 | ||||
| Оптическая мощность | 25°C, Ith+30мА | 6 | 7 | мВт | |
| Прямое смещение | 25°C, Ith+30мА | 2 | В | ||
| Дифференциальная эффективность | 25°C, Ith+30мА | 0.25 | мВт/мА | ||
| Рабочий ток | 50°C | 60 | мА | ||
|
Центральная длина волны |
50°C/50мА |
1294.53 | 1295.56 | 1296.59 | нм |
| 1299.02 | 1300.05 | 1301.08 | нм | ||
| 1303.55 | 1304.58 | 1305.61 | нм | ||
| 1308.11 | 1309.14 | 1310.17 | нм | ||
| 1272.51 | 1273.54 | 1274.57 | нм | ||
| 1276.86 | 1277.89 | 1278.92 | нм | ||
| 1281.23 | 1282.26 | 1283.29 | нм | ||
| 1285.63 | 1286.66 | 1287.69 | нм | ||
| 1290.08 | 1291.11 | 1292.14 | нм | ||
| 1312.70 | 1313.73 | 1314.76 | нм | ||
| 1317.32 | 1318.35 | 1319.38 | нм | ||
| 1268.20 | 1269.23 | 1270.26 | нм | ||
| Коэффициент подавления боковых мод (SMSR)
|
50°C/50мА | 30 | 35 | дБ | |
| Температурный сдвиг центральной длины волны |
CW |
0.1 |
нм/°C |
||
| Сопротивление | Ith+30мА | 10 | |||
| Полоса пропускания (3дБ) | 25°C,50мА | 20 | ГГц | ||
| 75°C,60мА | 15.5 | ||||
| Частота затухания колебаний | 75°C,60мА | 10 | ГГц |
О производителе
Denselight Semiconductors — это вертикальное полностью интегрированное серийное производство: от изготовления эпитаксиальных полупроводниковых пластин до тестирования и упаковки plug & play источников излучения. Инженерные, испытательные и производственные помещения расположены в чистом помещении площадью 15 000 кв. футов. Компания предлагаем комплексные решения для пользователей, представляющих как промышленные, так и научно-исследовательские организации, ведущие свою деятельность в области оптических телекоммуникаций, диагностического медицинского оборудования и оптической сенсорики. Линейка продукции компании включает: эпитаксиальные гетероструктуры на основе группы материалов InP/InGaAsP/AlGaAs, чиповые структуры FP, DFB лазеров и оптических усилителей (SOA), корпусированные лазерные диоды и суперлюминесцентные диоды с волоконным выводом излучения, узкополосные лазерные модули и широкополосные источники суперлюминесцентного излучения. Все продукты компании проходят жесткий контроль качества на всех этапах производства.
