Немонтированные лазерные диоды 785 нм, 5 Вт

  • Центр. длина волны 785 нм
  • Оптическая мощность 5 Вт (CW)
  • Ширина спектра < 2 нм
  • Ширина эмиттера 96 мкм
  • Рабочий ток 5 А

Описание

Мощные лазерные диоды диапазона 780-790 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с эффективностью электро-оптического преобразования свыше 60% и порогового тока менее 0.7 А. Лазерные диоды 785 нм в основном применяются для оптической накачки тулиевых твердотельных лазеров (Tm:YAG), которые, в свою очередь, находят широкое применение в медицинских задачах (лазерная хирургия, терапевтические лечение, косметология).

Технические характеристики

Параметр Тип. значение
Тип корпуса немонтированный чип, COS, TO-can
Центральная длина волны 785 нм
Оптическая мощность (CW) 5.4 Вт
Ширина спектра (FWHM) 1.8 нм
Рабочее напряжение 1.7 В
Пороговый ток 0.74 А
Эффективность электро-оптического преобразования 63%
Угол расходимости излучения по быстрой оси 37 град
Угол расходимости излучения по медленной оси 7 град
Рабочий ток 5 А
Длина чипа 4000 мкм
Ширина чипа 400 мкм
Толщина чипа 150 мкм
Ширина эмиттера 96 мкм

Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C

О производителе