Лазерный диод 980 нм 900 мВт на сабмаунте

  • Центральная длина волны 975 нм
  • Выходная мощность 900 мВт
  • Ширина эмиттера 5 мкм
  • Пороговый ток 60 мА
  • Квантовый выход > 60%

 

Описание

Одномодовые лазерные диоды 974-980 нм применяются для систем накачки волоконных усилителей (EDFA) и широкополосных ASE-источников, в качестве источника излучения в высокочувствительных волоконных гироскопах и задающего генератора в импульсных волоконных лазерах. Мы предлагаем лазерные диоды как в чиповом исполнении (немонтированные или монтированные на сабмаунте), так и корпусированные изделия с волоконным выводом излучения со стабилизированным спектром и оптической мощностью от 250 до 1500 мВт в непрерывном режиме генерации.

Технические характеристики

Центральная длина волны975 нм
Разброс по длине волны+/- 5 нм
Выходная оптическая мощность (CW)900 мВт
Ширина спектра (FWHM)3 нм
Ширина эмиттера5 мкм
Длина резонатора3 мм
Ширина чипа 400 мкм
Толщина чипа 120 мкм
Расходимость излучения по быстрой оси22º
Расходимость излучения по медленной оси
Эффективность электро-оптического преобразования60%
Пороговый ток60 mА
Номинальный ток900 mА
Номинальное напряжение1.7 В

О производителе