Лазерный диод 980 нм 900 мВт на сабмаунте
- Центральная длина волны 975 нм
- Выходная мощность 900 мВт
- Ширина эмиттера 5 мкм
- Пороговый ток 60 мА
- Квантовый выход > 60%
Описание
Одномодовые лазерные диоды 974-980 нм применяются для систем накачки волоконных усилителей (EDFA) и широкополосных ASE-источников, в качестве источника излучения в высокочувствительных волоконных гироскопах и задающего генератора в импульсных волоконных лазерах. Мы предлагаем лазерные диоды как в чиповом исполнении (немонтированные или монтированные на сабмаунте), так и корпусированные изделия с волоконным выводом излучения со стабилизированным спектром и оптической мощностью от 250 до 1500 мВт в непрерывном режиме генерации.
Технические характеристики
Центральная длина волны | 975 нм |
Разброс по длине волны | +/- 5 нм |
Выходная оптическая мощность (CW) | 900 мВт |
Ширина спектра (FWHM) | 3 нм |
Ширина эмиттера | 5 мкм |
Длина резонатора | 3 мм |
Ширина чипа | 400 мкм |
Толщина чипа | 120 мкм |
Расходимость излучения по быстрой оси | 22º |
Расходимость излучения по медленной оси | 7º |
Эффективность электро-оптического преобразования | 60% |
Пороговый ток | 60 mА |
Номинальный ток | 900 mА |
Номинальное напряжение | 1.7 В |