Полупроводниковые DBR-лазеры 767-1064 нм

  • Длины волн 767-1064 нм
  • Полоса генерации ≤1 МГц
  • Выходная мощность до 180 мВт
  • Нестабильность мощности ≤0.05%
  • Диапазон перестройки +/- 2 нм

Описание

Полупроводниковый DBR-лазер (DBR -распределенный брэгговский отражатель) — это новый тип лазера, в котором за создание обратной связи и поддержание генерации излучения отвечают брэгговские зеркала на одном или обоих торцах оптического резонатора полупроводниковой гереоструктуры. DBR-лазеры обладают схожей по величине с DFB-лазерами шириной полосы генерации, однако могут отличаться более высокой оптической мощностью и более низким пороговым током при одной и той же частоте излучения. Связано это с различием в технологии эпитакcиального роста полупроводниковых гетероструктур данных типов лазеров. В технологии DFB-лазеров ключевым моментов, влияющим на ампер-ваттные характеристики излучения является процесс формирования гофрированной структуры волновода и последующий процесс заращивания накрывающим слоем. В результате травления волноводного слоя DFB-структуры на поверхности могут образовываться окисные слои, что приводит к увеличению дефектных состояний в волноводной области гетероструктуры, и как следствие, к увеличению скорости безызлучательной рекомбинации носителей заряда. В результате квантовая эффективность такого устройства уменьшается, а вероятность деградации всей активной области лазера со временим увеличивается. DBR-лазеры обычно производятся в едином технологическом процессе, что сводит к минимуму влияние дислокаций на рабочие характеристики лазера.

Частотная перестройка в DBR-лазерах (как и в DFB-лазерах) осуществляется с помощью изменения рабочей температуры или рабочего тока устройства. Что касается диапазона перестройки линии генерации, то DBR-лазеры демонстрируют более плавную (контролируемую) перестройку по длине волны, чем DFB-лазеры. Однако диапазон перестройки без перескока между продольными модами генерации может быть уже, чем у DFB-лазера. Связано это прежде всего с отсутствием сколько ни будь существенного влияния температуры на отражающие спектральные свойства брэгговких зеркал, которые, как следует из особенности конструкции DBR-лазера, разнесены с активной средой генератора. Таким образом перестройка полосы генерации лазера осуществляется только за счет температурного изменения энергии оптического перехода.

В целом DBR-лазеры являются более перспективными для таких применений как атомная спектроскопия или лазерные гироскопы, где требуется более высокая мощность и точность перестройки полосы генерации.

img12

Рис.1 Структуры DBR и DFB-лазеров

img13

Рис. 2 Полоса генерации 852 нм DBR-лазера

Особенности DBR-лазеров

  • высокая точность перестройки длины волны
  • низкий температурный дрейф
  • простота получения одномодового одночастотного излучения
  • простота сопряжения с оптическими волокнами, модуляторами и т. д. 
  • высокая стабильность 

Применение

  • прецизионная интерферометрия
  • оптические стандарты частоты
  • атомные часы
  • оптическая связь
  • лазерные гироскопы
  • исследования в области прецизионной спектроскопии

Технические характеристики

 

Центральная длина волны 767нм 770нм 780нм 795нм 852нм 895нм 920нм 976нм 1064нм
Выходная оптическая мощность 80/120/180 мВт
Диапазон перестройки по длине волны ±2 нм
Диапазон перестройки без перескока мод >50 ГГц
Ширина полосы генерации ≤1 МГц@50 мс
Нестабильность мощности Пространственный вывод излучения: ≤0.05%@10 мин, ≤0.5%@10 ч (изменение температуры внешней среды не более 2℃);

Волоконный вывод излучения: ≤1%@1 ч (изменение температуры внешней среды не более 2℃)

Высота оптической оси 50 мм
Волоконный вывод PM-волокно (разъем FC/APC), эффективность сопряжения ≥65%*, коэффициент экстинкции ≥25 дБ
Рабочая температура Рабочий диапазон: 15-40℃; нестабильность: ≤1 мК@10ч
Рабочий ток Диапазон рабочего тока: 0-200 мА;
Шум пульсации: ≤1 мкА; Долговременный дрейф: ≤5 мкА; Полоса обратной связи: 150 кГц
Габариты Оптический блок: 142*65*77 мм 3
Блок питания: 300*340*150 мм3; Стабилизатор частоты: 483*340*150 мм 3
Условия эксплуатации Температура: 20-30℃, влажность: 20-70%

 

О производителе

Beijing Unilight Technology Co., Ltd. является высокотехнологичным предприятием на основе Научного парка Пекинского университета и Школы информационных наук и технологий Пекинского университета. Продукция предприятия охватывает полупроводниковые лазеры с внешним резонатором, полупроводниковые лазерные усилители, лазерные системы со стабилизированной частотой, лазерные системы с удвоением частоты и различные промежуточные и передовые оптоэлектронные обучающие продукты.

Компания придерживается концепции технологических инноваций, уделяет пристальное внимание передовым научным исследованиям, реализует сочетание производства, обучения и исследований и предоставляет высокопроизводительные, высококачественные оптоэлектронные устройства и различные оптические технологические решения для отечественных и зарубежных университетов, научно-исследовательских институтов и промышленных предприятий.