Полупроводниковые DBR-лазеры 767-1064 нм
- Длины волн 767-1064 нм
- Полоса генерации ≤1 МГц
- Выходная мощность до 180 мВт
- Нестабильность мощности ≤0.05%
- Диапазон перестройки +/- 2 нм
Описание
Полупроводниковый DBR-лазер (DBR -распределенный брэгговский отражатель) — это новый тип лазера, в котором за создание обратной связи и поддержание генерации излучения отвечают брэгговские зеркала на одном или обоих торцах оптического резонатора полупроводниковой гереоструктуры. DBR-лазеры обладают схожей по величине с DFB-лазерами шириной полосы генерации, однако могут отличаться более высокой оптической мощностью и более низким пороговым током при одной и той же частоте излучения. Связано это с различием в технологии эпитакcиального роста полупроводниковых гетероструктур данных типов лазеров. В технологии DFB-лазеров ключевым моментов, влияющим на ампер-ваттные характеристики излучения является процесс формирования гофрированной структуры волновода и последующий процесс заращивания накрывающим слоем. В результате травления волноводного слоя DFB-структуры на поверхности могут образовываться окисные слои, что приводит к увеличению дефектных состояний в волноводной области гетероструктуры, и как следствие, к увеличению скорости безызлучательной рекомбинации носителей заряда. В результате квантовая эффективность такого устройства уменьшается, а вероятность деградации всей активной области лазера со временим увеличивается. DBR-лазеры обычно производятся в едином технологическом процессе, что сводит к минимуму влияние дислокаций на рабочие характеристики лазера.
Частотная перестройка в DBR-лазерах (как и в DFB-лазерах) осуществляется с помощью изменения рабочей температуры или рабочего тока устройства. Что касается диапазона перестройки линии генерации, то DBR-лазеры демонстрируют более плавную (контролируемую) перестройку по длине волны, чем DFB-лазеры. Однако диапазон перестройки без перескока между продольными модами генерации может быть уже, чем у DFB-лазера. Связано это прежде всего с отсутствием сколько ни будь существенного влияния температуры на отражающие спектральные свойства брэгговких зеркал, которые, как следует из особенности конструкции DBR-лазера, разнесены с активной средой генератора. Таким образом перестройка полосы генерации лазера осуществляется только за счет температурного изменения энергии оптического перехода.
В целом DBR-лазеры являются более перспективными для таких применений как атомная спектроскопия или лазерные гироскопы, где требуется более высокая мощность и точность перестройки полосы генерации.
Рис.1 Структуры DBR и DFB-лазеров
Рис. 2 Полоса генерации 852 нм DBR-лазера
Особенности DBR-лазеров
- высокая точность перестройки длины волны
- низкий температурный дрейф
- простота получения одномодового одночастотного излучения
- простота сопряжения с оптическими волокнами, модуляторами и т. д.
- высокая стабильность
Применение
- прецизионная интерферометрия
- оптические стандарты частоты
- атомные часы
- оптическая связь
- лазерные гироскопы
- исследования в области прецизионной спектроскопии
Технические характеристики
Центральная длина волны | 767нм | 770нм | 780нм | 795нм | 852нм | 895нм | 920нм | 976нм | 1064нм |
Выходная оптическая мощность | 80/120/180 мВт | ||||||||
Диапазон перестройки по длине волны | ±2 нм | ||||||||
Диапазон перестройки без перескока мод | >50 ГГц | ||||||||
Ширина полосы генерации | ≤1 МГц@50 мс | ||||||||
Нестабильность мощности | Пространственный вывод излучения: ≤0.05%@10 мин, ≤0.5%@10 ч (изменение температуры внешней среды не более 2℃);
Волоконный вывод излучения: ≤1%@1 ч (изменение температуры внешней среды не более 2℃) |
||||||||
Высота оптической оси | 50 мм | ||||||||
Волоконный вывод | PM-волокно (разъем FC/APC), эффективность сопряжения ≥65%*, коэффициент экстинкции ≥25 дБ | ||||||||
Рабочая температура | Рабочий диапазон: 15-40℃; нестабильность: ≤1 мК@10ч | ||||||||
Рабочий ток | Диапазон рабочего тока: 0-200 мА; Шум пульсации: ≤1 мкА; Долговременный дрейф: ≤5 мкА; Полоса обратной связи: 150 кГц |
||||||||
Габариты | Оптический блок: 142*65*77 мм 3 Блок питания: 300*340*150 мм3; Стабилизатор частоты: 483*340*150 мм 3 |
||||||||
Условия эксплуатации | Температура: 20-30℃, влажность: 20-70% |
О производителе
Beijing Unilight Technology Co., Ltd. является высокотехнологичным предприятием на основе Научного парка Пекинского университета и Школы информационных наук и технологий Пекинского университета. Продукция предприятия охватывает полупроводниковые лазеры с внешним резонатором, полупроводниковые лазерные усилители, лазерные системы со стабилизированной частотой, лазерные системы с удвоением частоты и различные промежуточные и передовые оптоэлектронные обучающие продукты.
Компания придерживается концепции технологических инноваций, уделяет пристальное внимание передовым научным исследованиям, реализует сочетание производства, обучения и исследований и предоставляет высокопроизводительные, высококачественные оптоэлектронные устройства и различные оптические технологические решения для отечественных и зарубежных университетов, научно-исследовательских институтов и промышленных предприятий.