Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

  • Длина волны 369-1650 нм
  • Полоса генерации ≤1 МГц
  • Оптическая мощность до 200 мВт
  • Нестабильность мощности ≤0.05%
  • Диапазон перестройки до 50 нм

 

Описание

Полупроводниковый лазер с внешним резонатором ECL801 представляет собой продукт, основанный на результатах исследований физики холодных атомов в Пекинском университете. Лазерное излучение, генерируемое полупроводниковой структурой во внешнем резонаторе с конструкцией Литтроу, формирует на отражающей дифракционной решетке исходящий лазерный пучок «0» порядка дифракции, в то время как дифрагированное излучение «1» порядка отражается обратно в активную область полупроводникового лазера для селективной генерации узкой полосы излучения (рис . 1 ). Преимущества полупроводникового лазера с внешним резонатором со структурой Литтроу заключаются в простоте конструкции и надежности использования. В конструкции ECL801 добавлена ​​непосредственная связь по току для расширения диапазона непрерывной перестройки лазера (см. рис . 3 ). Кроме того, для совместной работы со стабилизатором частоты, полупроводниковый лазер с внешним резонатором ECL801 Littrow имеет функцию модуляции тока и модуляцию внешнего резонатора ( PZT), которые позволяют достичь наилучшей оптимизации для различных условий эксперимента.

изображение2изображение3

Рис.1 Схематичная диаграмма лазера с внешним резонатором конструкции Литтроу; Рис.2 Вид оптического блока с внешним резонатором

изображение4

Рис.3 (а) Спектр насыщения поглощения атомов рубидия; Рис.3 ( б ) Сверхтонкий спектр изотопов Rb 85 и Rb 87 a и b

изображение5

Рис. 4 (a) Спектр продольной моды полупроводникового лазера с внешним резонатором ECL801; Рисунок 4 (b) Спектр биений полосы генерации полупроводникового лазера с внешним резонатором ECL801

Технические характеристики

Центральная длина волны 369-1650нм
Диапазон грубой перестройки длины волны AR: 30-50 нм, FP: 3-10 нм
Диапазон перестройки без перескока мод AR: 10-20 ГГц, FP: 3-20 ГГц
Ширина полосы генерации ≤1 МГц при 50 мс
Максимальная  оптическая мощность 10-200мВт
Нестабильность оптической мощности Пространственный вывод излучения: ≤0,05% при 10 мин, ≤0,5% при 10 ч (изменение температуры окружающей среды менее 2 ℃);

Волоконный вывод излучения: ≤1%@1ч (изменение температуры окружающей среды менее 2℃)

Высота оптической оси 50мм
Волоконный вывод излучения оптическое волокно с сохранением поляризации (FC/APC разъем), эффективность сопряжения ≥65%*, коэффициент затухания ≥25 дБ
Рабочая температура  Диапазон регулировки температуры: 15-40 ℃, стабильность: ≤1 мК при 10 часах
Рабочий ток Диапазон регулировки тока : 0–200 мА (макс.: 5 В/600 мА),
пульсирующий шум: ≤1 мкА, долговременный дрейф: ≤5 мкА, полоса обратной связи: 150 кГц
 Рабочее напряжение Выходное напряжение: 0–60 В, частота сканирования: 0,2–20 Гц, порт обратной связи со встроенной PI-регулировкой
Габариты Оптический блок: 142*65*75 мм 3 Источник питания: шасси 3U, стандарт: 387*340*150 мм 3, Стабилизация  частоты: 483*340*150 мм 3
Условия эксплуатации Температура: 20-30℃, влажность: 20-70%

Типовые характеристики

Центральная длина волны (нм) 369 370-380 390-400 400-410 420-425
Диапазон длин волн (нм) 3 3 3 3 3
Выходная мощность (мВт) 15 25 20/80 150 40/80
Центральная длина волны (нм) 435-465 465-480 483-493 510-520 /
Диапазон длин волн (нм) 4 4 3 5 /
Выходная мощность (мВт) 300 180 120 80 /
Центральная длина волны (нм) 633 642/658 679-690 683-688 695-708
Выходная мощность (мВт) 8 80 20 50 30
Центральная длина волны (нм) 722-737 765-795 800-840 850-880 894-928
Выходная мощность (мВт) 35 80 50 100 80
Центральная длина волны (нм) 925-989 989-1088 1518-1556 1616-1649 /
Выходная мощность (мВт) 40 80 100 70 /

О производителе

Beijing Unilight Technology Co., Ltd. является высокотехнологичным предприятием на основе Научного парка Пекинского университета и Школы информационных наук и технологий Пекинского университета. Продукция предприятия охватывает полупроводниковые лазеры с внешним резонатором, полупроводниковые лазерные усилители, лазерные системы со стабилизированной частотой, лазерные системы с удвоением частоты и различные промежуточные и передовые оптоэлектронные обучающие продукты.

Компания придерживается концепции технологических инноваций, уделяет пристальное внимание передовым научным исследованиям, реализует сочетание производства, обучения и исследований и предоставляет высокопроизводительные, высококачественные оптоэлектронные устройства и различные оптические технологические решения для отечественных и зарубежных университетов, научно-исследовательских институтов и промышленных предприятий.