Подложки GaN

  • Диаметр до 4 дюймов
  • Толщина 0.3 — 0.45 мм
  • Одна/двухсторонняя полировка
  • Ориентация <0001>
Категория:

Описание

Нитрид галлия (GaN) обладает высокой теплопроводностью и радиационной стойкостью. GaN можно использовать не только в качестве широкозонного материала для коротковолновой оптоэлектроники, но и в качестве основного материала для высокотемпературных полупроводниковых устройств. Подложки из GaN могут быть использованы для изготовления зеленых светодиодов, сине-фиолетовых, ультрафиолетовых лазерных диодов, детекторов ультрафиолетового излучения и высокочастотных мощных электронных устройств.

Технические характеристики

Метод роста HVPE
Диаметр 2, 4″
Толщина 0.3, 0.35, 0.4, 0.45 мм
Кристаллографическая ориентация C-axis <0001>
Допустимая разориентация +/- 0.5 град
Легирование Нелегированная, n- типа (легированная Si)
Концентрация примеси (0.1 — 2)x1018 см-3
Полировка Односторонняя или двухсторонняя
Плотность поверхностных дефектов (EPD) <500/cm2, другие по запросу
Шероховатость Ra < 5A @ 5×5 мкм

О производителе

Похожие товары

ООО «Интех Лайтинг» поставщик лазерных и светодиодных источников излучения, фотоэлектрических преобразователей и оптических модуляторов, контрольно-измерительного и технологического оборудования, комплектующих и материалов для высокотехнологичных областей науки и промышленности. Мы оказываем услуги научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ (НИОКР) в области оптоэлектроники и оптической метрологии.
196105, Россия, г. Санкт-Петербург, ул. Свеаборгская д.12, 54H
+7 (812) 565-60-60