Подложки InP

  • Диаметр до 4 дюймов
  • Толщина 0.35 — 0.6 мм
  • Одна/двухсторонняя полировка
  • Ориентация <100>, <111>
Категория:

Описание

Фосфид индия (InP) — исключительно важный  материал для полупроводниковой промышленности, обладающий такими преимуществами, как высокая предельная скорость дрейфа электронов, высокая радиационная стойкость и теплопроводность. Эти материалы эффективны для производства высокочастотных, высокоскоростных и высокомощных микроволновых устройств и интегральных схем. InP широко используется в твердотельном освещении, микроволновой связи, волоконно-оптической связи, солнечных элементах, навигации и других гражданских и военных областях.

Технические характеристики

Метод роста LEC,VCZ/P-LEC , VGF, VB
Диаметр 2, 3, 4, 6″
Толщина 0.35, 0.6 мм
Кристаллографическая ориентация <100>, <111>
Допустимая разориентация +/- 0.5 град
Легирование Нелегированная, n- типа (легированная S или Fe), p-типа (легированная Zn)
Концентрация примеси (0.6 — 6)x1018 см-3
Полировка Односторонняя или двухсторонняя
Плотность поверхностных дефектов (EPD) <2000/cm2, другие по запросу
Шероховатость Ra < 5A @ 5×5 мкм

О производителе

Похожие товары

ООО «Интех Лайтинг» поставщик лазерных и светодиодных источников излучения, фотоэлектрических преобразователей и оптических модуляторов, контрольно-измерительного и технологического оборудования, комплектующих и материалов для высокотехнологичных областей науки и промышленности. Мы оказываем услуги научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ (НИОКР) в области оптоэлектроники и оптической метрологии.
196105, Россия, г. Санкт-Петербург, ул. Свеаборгская д.12, 54H
+7 (812) 565-60-60