Каталог
Подложки InP
- Диаметр до 4 дюймов
- Толщина 0.35 — 0.6 мм
- Одна/двухсторонняя полировка
- Ориентация <100>, <111>
Описание
Фосфид индия (InP) — исключительно важный материал для полупроводниковой промышленности, обладающий такими преимуществами, как высокая предельная скорость дрейфа электронов, высокая радиационная стойкость и теплопроводность. Эти материалы эффективны для производства высокочастотных, высокоскоростных и высокомощных микроволновых устройств и интегральных схем. InP широко используется в твердотельном освещении, микроволновой связи, волоконно-оптической связи, солнечных элементах, навигации и других гражданских и военных областях.
Технические характеристики
| Метод роста | LEC,VCZ/P-LEC , VGF, VB | |
| Диаметр | 2, 3, 4, 6″ | |
| Толщина | 0.35, 0.6 мм | |
| Кристаллографическая ориентация | <100>, <111> | |
| Допустимая разориентация | +/- 0.5 град | |
| Легирование | Нелегированная, n- типа (легированная S или Fe), p-типа (легированная Zn) | |
| Концентрация примеси | (0.6 — 6)x1018 см-3 | |
| Полировка | Односторонняя или двухсторонняя | |
| Плотность поверхностных дефектов (EPD) | <2000/cm2, другие по запросу | |
| Шероховатость | Ra < 5A @ 5×5 мкм | |
О производителе
Похожие товары
-
Подложки GaN
Добавить в корзину- Диаметр до 4 дюймов
- Толщина 0.3 - 0.45 мм
- Одна/двухсторонняя полировка
- Ориентация <0001>
-
Подложки GaSb
Добавить в корзину- Диаметр до 4 дюймов
- Толщина 0.5 - 0.8 мм
- Одна/двухсторонняя полировка
- Ориентация <100>, <111>
-
Подложки InAs
Добавить в корзину- Диаметр до 4 дюймов
- Толщина 0.5 - 0.8 мм
- Одна/двухсторонняя полировка
- Ориентация <100>, <111>
-
Подложки InSb
Добавить в корзину- Диаметр до 4 дюймов
- Толщина 0.5 - 0.8 мм
- Одна/двухсторонняя полировка
- Ориентация <100>, <111>
