Малошумящие InGaAs PIN-детекторы с усилителем (Free space) KY-PRM

  • Диапазон 4 00~1700 нм
  • Диаметр фотоэлемента 0.1-1 мм
  • Полоса пропускания до 200 МГц
  • Время нарастания < 4.7 нс
  • Оптический вход free space или FC/APC
Артикул: Н/Д Категория:

Описание

Малошумящие PIN-фотоприемники серии KY-PRM объединяют высоколинейный аналоговый PIN-детектор (GaN, Si  или InGaAs) и малошумящий широкополосный трансимпедансный усилитель с высоким коэффициентом усиления, высокой чувствительностью, сопряжению по переменному току и равномерным усилением. Модуль питается от положительного напряжения 12 В, а входной оптический интерфейс доступен как для оптического волокна, так и для пространственных источников излучения. Волоконный интерфейс универсален для одномодового и многомодового оптического волокна.  Электрический сигнал передается через аналоговый выход SMA. Фотодетекторы в основном используются для анализа амплитудно-фазовых характеристик пико и нано секундных оптических импульсов, лазерной связи, лазерных радарах, оптоволоконной системе зондирования и других приложениях. Также фотоприемные модули доступны в мультиканальном исполнении.

Технические характеристики

Параметры производительности

PN KY-PRM-200M-I1 KY-PRM-100M-I1 KY-PRM-BW-I-FS
Тип детектора InGaAs / PIN InGaAs / PIN
Оптический вход Free Space или FC/APC Free Space
Спектральный диапазон 400 ~ 1700 нм 800 ~ 1700 нм
Пиковая фоточувствительность 0.9 А/Вт@1550 нм 0.9А/Вт@1550 нм
Диаметр активной области фотоэлемента 100 мкм 1мм 200 мкм 500 мкм
Ширина полосы пропускания (3 дБ) 200 МГц 75 МГц 200 МГц 150 МГц
Усиление* 1×104 В/Вт @1550 нмm

2,5×10 3 В / Вт при 650 нм

2×104 В/Вт @1550 нм

7×103 В/Вт @650 нм

20кВ/Вт

 @ 1550 нм

20кВ/Вт @1550 нм
Время нарастания 2,4 нс 4,7 нс 2,4 нс 3,5 нс
Оптическая мощность насыщения* 360 мкВт 180 мкВт 180 мкВт 180 мкВт
Сопряжение по току DC
Выходное сопротивление 50 Ом
Эквивалентная мощность шума NEP 14,1 пВт / √Гц 14,3 пВт / √Гц 11,8 пВт / √Гц 10,9 пВт / √Гц
Суммарное выходное шумовое напряжение * 12 мВ 15 мВ 20 мВ 16 мВ

* При высоком сопротивлении, если нагрузка составляет 50 Ом, соответствующее значение уменьшается вдвое.

Кривая спектральной фоточувствительности

 

Si фотоприемник 400-1100 нм

Малошумящий фотоприемник PIN с усилителем

Габариты (единица измерения : мм)

 

Малошумящий фотоприемник PIN с усилителем

 

О производителе

Компания Beijing Keyang Photonics Technology Co., Ltd. расположена в Пекине. Cпециализируется на исследованиях и разработках, производстве, продаже и обслуживании продуктов, связанных с электрооптической модуляцией и фотоэлектрическими технологиями обнаружения.

Интех Лайтинг является представителем Keyang Photonics на территории России и предоставляет полную техническую поддержку и наиболее выгодные условия поставки продукции компании.