Малошумящие InGaAs PIN-детекторы с усилителем (Free space) KY-PRM
- Диапазон 4 00~1700 нм
- Диаметр фотоэлемента 0.1-1 мм
- Полоса пропускания до 200 МГц
- Время нарастания < 4.7 нс
- Оптический вход free space или FC/APC
Описание
Малошумящие PIN-фотоприемники серии KY-PRM объединяют высоколинейный аналоговый PIN-детектор (GaN, Si или InGaAs) и малошумящий широкополосный трансимпедансный усилитель с высоким коэффициентом усиления, высокой чувствительностью, сопряжению по переменному току и равномерным усилением. Модуль питается от положительного напряжения 12 В, а входной оптический интерфейс доступен как для оптического волокна, так и для пространственных источников излучения. Волоконный интерфейс универсален для одномодового и многомодового оптического волокна. Электрический сигнал передается через аналоговый выход SMA. Фотодетекторы в основном используются для анализа амплитудно-фазовых характеристик пико и нано секундных оптических импульсов, лазерной связи, лазерных радарах, оптоволоконной системе зондирования и других приложениях. Также фотоприемные модули доступны в мультиканальном исполнении.
Технические характеристики
Параметры производительности
PN | KY-PRM-200M-I1 | KY-PRM-100M-I1 | KY-PRM-BW-I-FS | |
Тип детектора | InGaAs / PIN | InGaAs / PIN | ||
Оптический вход | Free Space или FC/APC | Free Space | ||
Спектральный диапазон | 400 ~ 1700 нм | 800 ~ 1700 нм | ||
Пиковая фоточувствительность | 0.9 А/Вт@1550 нм | 0.9А/Вт@1550 нм | ||
Диаметр активной области фотоэлемента | 100 мкм | 1мм | 200 мкм | 500 мкм |
Ширина полосы пропускания (3 дБ) | 200 МГц | 75 МГц | 200 МГц | 150 МГц |
Усиление* | 1×104 В/Вт @1550 нмm
2,5×10 3 В / Вт при 650 нм |
2×104 В/Вт @1550 нм
7×103 В/Вт @650 нм |
20кВ/Вт
@ 1550 нм |
20кВ/Вт @1550 нм |
Время нарастания | 2,4 нс | 4,7 нс | 2,4 нс | 3,5 нс |
Оптическая мощность насыщения* | 360 мкВт | 180 мкВт | 180 мкВт | 180 мкВт |
Сопряжение по току | DC | |||
Выходное сопротивление | 50 Ом | |||
Эквивалентная мощность шума NEP | 14,1 пВт / √Гц | 14,3 пВт / √Гц | 11,8 пВт / √Гц | 10,9 пВт / √Гц |
Суммарное выходное шумовое напряжение * | 12 мВ | 15 мВ | 20 мВ | 16 мВ |
* При высоком сопротивлении, если нагрузка составляет 50 Ом, соответствующее значение уменьшается вдвое.
Кривая спектральной фоточувствительности
Si фотоприемник 400-1100 нм
Габариты (единица измерения : мм)
О производителе
Компания Beijing Keyang Photonics Technology Co., Ltd. расположена в Пекине. Cпециализируется на исследованиях и разработках, производстве, продаже и обслуживании продуктов, связанных с электрооптической модуляцией и фотоэлектрическими технологиями обнаружения.
Интех Лайтинг является представителем Keyang Photonics на территории России и предоставляет полную техническую поддержку и наиболее выгодные условия поставки продукции компании.