Каталог
Быстродействующий InGaAs фотодиод с усилителем AMPD-D
- Длины волн 1000-1650 нм
- Полоса пропускания до 20 ГГц
- Оптическая мощность до 10 дБм
- Коэффициент усиления до 30 дБ
- Амплитудная неравномерность ≤ ± 2 дБ
Описание
AMPD-D фотодетектор представляет собой гибрид широкополосного InGaAs PIN-фотодиода и малошумящего усилителя. Диапазон спектральной фоточувствительности PIN-фотодиода составляет от 1000 до 1650 нм. Коэффициент усиления ВЧ-сигнала малошумящего усилителя составляет 30 дБ.
AMPD-D может обеспечить полосу пропускания 12 ГГц и 20 ГГц. Модуль работает от напряжения питания +9В и совместим со стандартным одномодовым оптоволокном 9/125 мкм. Выходной ВЧ-канал представляет собой разъем SMA сопротивлением 50 Ом. AMPD-D имеет герметичный корпус и весит менее 23 грамм.
Технические характеристики
| Эксплуатационные характеристики | |||
| Параметр | Типовое значение | Максимальный диапазон | Ед. изм |
| Диапазон температуры хранения | -45 ～ +85 | -55 ～ +100 | ℃ |
| Диапазон рабочих температур | 25 | -40 ～ +85 | ℃ |
| Напряжение смещения | 9 | +9 ～ +12 | В |
| Оптическая входная мощность | 0 | 10 | дБм |
| Предельная оптическая мощность | – | 13 | дБм |
| Электрические/оптические характеристики (TC = 22 ± 3 ℃) | |||||
| Параметр | Условия испытаний | Значение параметра | Ед. изм | ||
| Диапазон длин волн | － | 1000 ～ 1650 | нм | ||
| Диапазон частот | － | Х — полоса | Кu — полоса | － | |
| Полоса пропускания | Тc = 22 ± 3 ℃ | 0. 3 ～ 12 | 2 ～ 20 | ГГц | |
| Фоточувствительность | VR =+9В, Pin=10мВт | λ = 1310 нм | ≥ 0,8 | ≥ 0,85 | А/Вт |
| λ = 1550 нм | ≥ 0,85 | ≥ 0,8 | А/Вт | ||
| Амплитудная неравномерность | Тс =-45～+85 ℃ | ≤ ± 2 | дБ | ||
| Оптическая мощность насыщения | VR = +9 В, λ = 1550 нм | 10 | дБм | ||
| Модулированный переменным током | |||||
| Усиление радиочастотного сигнала | － | 30 ± 1 | дБ | ||
| Выходная ВЧ-мощность насыщения | － | 10 | дБм | ||
| Коэффициент стоячей волны | － | ≤ 2 | － | ||
| Выходное сопротивление | － | 50 | Ом | ||
Типовые амплитудно-частотные характеристики
Габариты и контакты (единица измерения: мм [дюйм])
О производителе
Похожие товары
-
Быстродействующий гибридный InGaAs фотодиод HHPD
Добавить в корзину- Длины волн 1000-1650 нм
- Полоса пропускания 12 или 18 ГГц
- Оптическая мощность до +13 дБм
- Амплитудная неравномерность ≤ ±1,5 дБ
- Одномодовое волокно 9/125 мкм
-
Многоканальный быстродействующий фотодиод с усилителем
Добавить в корзину- Длины волн 1000-1650 нм
- Полоса пропускания до 18 ГГц
- Усиление РЧ сигнала 15±1 дБ
- Оптическая мощность до 10 дБм
- Амплитудная неравномерность ≤±2 дБ
-
Высокомощный InGaAs фотодиод HPPD-Ku
Добавить в корзину- Длины волн 1000-1650 нм
- Полоса пропускания до 18 ГГц
- Оптическая мощность до +17 дБм
- Амплитудная неравномерность ≤ ±1,5
- Темновой ток ≤ 10 нА
-
Быстродействующие фотодиоды FCPD InGaAs
Добавить в корзину- Длины волн 1000-1650 нм
- Темновой ток ≤10 нА
- Полоса пропускания до 8 ГГц
- Оптическая мощность до 5 дБм
- Амплитудная неравномерность ≤±1,5 дБ
