Быстродействующий InGaAs фотодиод с усилителем AMPD-D

  • Длины волн 1000-1650 нм
  • Полоса пропускания до 20 ГГц
  • Оптическая мощность до 10 дБм
  • Коэффициент усиления до 30 дБ
  • Амплитудная неравномерность ≤ ± 2 дБ
Спецификация

Описание

AMPD-D фотодетектор представляет собой гибрид  широкополосного InGaAs PIN-фотодиода и малошумящего усилителя. Диапазон спектральной фоточувствительности PIN-фотодиода составляет от 1000 до 1650 нм. Коэффициент усиления ВЧ-сигнала малошумящего усилителя составляет 30 дБ.

AMPD-D может обеспечить полосу пропускания 12 ГГц и 20 ГГц. Модуль работает от напряжения питания +9В и совместим со стандартным одномодовым оптоволокном 9/125 мкм. Выходной ВЧ-канал представляет собой разъем SMA сопротивлением 50 Ом. AMPD-D имеет герметичный корпус и весит менее 23 грамм.

Технические характеристики

Эксплуатационные характеристики
Параметр Типовое значение Максимальный диапазон Ед. изм
Диапазон температуры хранения -45 ~ +85 -55 ~ +100
Диапазон рабочих температур  25 -40 ~ +85
Напряжение смещения 9 +9 ~ +12 В
Оптическая входная мощность 0 10 дБм
Предельная оптическая мощность 13 дБм
Электрические/оптические характеристики (TC = 22 ± 3 ℃)
Параметр Условия испытаний Значение параметра Ед. изм
Диапазон длин волн 1000 ~ 1650 нм
Диапазон частот Х — полоса Кu — полоса
Полоса пропускания  Тc = 22 ± 3 ℃ 0. 3 ~ 12 2 ~ 20 ГГц
Фоточувствительность VR =+9В,  Pin=10мВт λ = 1310 нм ≥ 0,8 ≥ 0,85 А/Вт
λ = 1550 нм ≥ 0,85 ≥ 0,8 А/Вт
Амплитудная неравномерность Тс =-45~+85 ℃ ≤ ± 2 дБ
Оптическая мощность насыщения VR = +9 В, λ = 1550 нм 10 дБм
Модулированный переменным током
Усиление радиочастотного сигнала 30 ± 1 дБ
Выходная ВЧ-мощность насыщения 10 дБм
Коэффициент стоячей волны ≤ 2
Выходное сопротивление 50 Ом

Типовые амплитудно-частотные характеристики

1199532095073804289
Рис. 1 Частотная характеристика фотодетектора X-диапазона
1199531718718906370 1
Рис. 2 Частотная характеристика фотодетектора Ku-диапазона

Габариты и контакты (единица измерения: мм [дюйм])

1199587924254085121

О производителе