InGaAs фотодиоды с большой активной областью

Описание

Компания Интех Лайтинг предлагает серию высококачественных PIN-фотодиодов на основе объемных материалов InP/InGaAs с большой площадью фоточувствительного элемента диаметром 0,5, 1, 2, 3 и 5 мм.  Коротковолновая расширенная серия фотодиодов (600 ~ 1700 нм, -17 В) может охватывать диапазон длин волн, свойственных фотодиодам на основе Si, а также стандартных детекторов InGaAs. Также доступны фотодиоды c расширенным длинноволновым краем поглощения до 2,2 мкм.  

В ответ на растущий спрос на датчики низкой освещенности (например, LIDAR) компания предлагает фотодиоды InGaAs с термоэлектрическим охлаждением на основе компактного корпуса TO-46. При минимальном потреблении энергии на охлаждение (<0,3 Вт) для работы при низких температурах или при контролируемой температуре эти фотодиоды демонстрируют лучшую чувствительность и стабильность, чем обычные неохлаждаемые фотодиоды.

Все предлагаемые виды фотодиодов доступны в виде немонтированных чипов, чипов на керамическом носителе (CLCC) или в металлических TO-корпусах с охлаждением и без.