Подложки InSb

  • Диаметр до 4 дюймов
  • Толщина 0.5 — 0.8 мм
  • Одна/двухсторонняя полировка
  • Ориентация <100>, <111>

Описание

InSb еще один важный материал для ИК оптоэлектроники с экстремально малой шириной запрещенной зоны (порядка 0.15 эВ). Узкощелевой InSb может использоваться в качестве основного материала для производства фотоприемных устройств среднего ИК диапазона, например для создания охлаждаемых матричных датчиков изображения диапазона 3 — 5 мкм. В некоторых случаях кристалл InSb применятся в качестве источника терагерцового излучения (эффект Дембера).

Технические характеристики

Метод роста LEC
Диаметр 2, 3, 4″
Толщина 0.5, 0.6, 0.8 мм
Кристаллографическая ориентация <100>, <111>
Допустимая разориентация +/- 0.5 град
Легирование Нелегированная, n- типа (легированная Te), p-типа (легированная Ge)
Концентрация примеси (0.1 — 2)x1018 см-3
Полировка Односторонняя или двухсторонняя
Плотность поверхностных дефектов (EPD) <500/cm2, другие по запросу
Шероховатость Ra < 5A @ 5×5 мкм

О производителе