Импульсный источник суперконтинуума 1500-3200 нм OESCS-100P-3.2
- Рабочий диапазон: 1500-3200 нм
- Оптическая мощность: 300 мВт
- Ширина спектра: 1500 нм
- Длительность импульса: 8-12 пс
- Частота повторения: 50 кГц
Описание
OESCS-100 P — это серия импульсных источников суперконтинуума с различной спектральной шириной генерации в диапазоне от 1 до 5 мкм, действие которых основано на передовой технологии O/E Land использующей нелинейные оптических эффектах в активных волокнах. Устройства обеспечивают высокую выходную мощность до 2 Вт через одномодовое оптическое волокно (SMF) и предназначены, в первую очередь, для задач инфракрасной спектрометрии, тестирования быстродействующих фотодетекторов коротковолнового и средневолнового ИК диапазон, средств противодействия системам теплонаведения и научных исследований.
Технические характеристики
Модель | OESCS-100P-3.2 |
---|---|
Спектральный диапазон | 1500-3200 нм |
Ширина спектра (по уровню - 10 дБ) | 1500 нм |
Выходная оптическая мощность | 300 мВт |
Длительность импульса | 8-12 пс |
Частота следования импульсов | 50 кГц |
Тип поляризации | случайная |
Тип выходного волокна | SM-ZEBLAN или free space |
Тип оптического разъема | FC/APC, или коллиматор |
Регулировка оптической мощности | наличие |
Второй оптический выход | по запросу |
Рабочая температура | 5 - 45 С |
Габариты (модель - под ключ) | 160x320x370 мм |
О производителе
O/E LAND INC. — один из лидеров североамериканского рынка лазерных систем и широкополосных источников излучения, построенных на принципе усиления оптического излучения в легированных оптических волокнах. Компания специализируется на производстве волоконных Брэгговских решеток, датчиков ВБР и измерительных систем для их опроса, фазовых масок, широкополосных ASE-источников, непрерывных и импульсных волоконных лазеров, линзированных волокон, волоконных матриц, драйверов лазерных диодов, миниатюрных температурных камер, элементов системы оптической накачки, пассивных волоконно-оптических компонентов, устройств управления параметрами излучения, а также других элементов микрооптики и оптоэлектроники.