Si лавинные фотодиоды

  • Диапазон 400 — 1100 нм
  • Активная область 230, 500 мкм
  • Напряжение пробоя 100 — 220 В
  • Время нарастания < 1.5 нс
  • Темновой ток < 1 нА

Описание

  • Диапазон 400 — 1100 нм
  • Активная область 230, 500 мкм
  • Напряжение пробоя 100 — 220 В
  • Время нарастания < 1.5 нс
  • Темновой ток < 1 нА

Описание

Технические характеристики

Параметр Условия измерения Мин. значение Тип. значение Макс. значение Ед. измерения
Тип корпуса Немонтированные чипы, LCC или TO
Спектральный диапазон 400-1100 нм
Диаметр активной области 230/500 мкм
Фоточувствительность λ=905 нм, M=100 50 55 А/Вт
Время нарастания f=1МГц,R=50Ом, λ=905 нм 0,5 1.5 нс
Темновой ток M=100 0.2 0.4 1 нА
Емкость M=100, f=1МГц 1 пФ
Коэффициент усиления 100
Напряжение пробоя IR=10 мкА 100 220 В
Коэффициент температурного дрейфа Tc=-40℃~85℃ 0.7 В/℃

О производителе