Лазерные диоды 638 нм, 1 Вт на сабмаунте

  • Центр. длина волны 638 нм
  • Оптическая мощность 1 Вт (CW)
  • Ширина спектра 1 нм
  • Ширина эмиттера 110 мкм
  • Рабочий ток 1.4 А

Описание

Мощные лазерные диоды диапазона 635-640 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с увеличенным внутренним квантовым выходом. Эффективность электро-оптического преобразования предлагаемых лазерных диодов достигает 40%, а рабочий ресурс до 60000 ч при комнатной температуре. Лазерные диоды 635-640 нм находят широкое применение в лазерных проекторах, дисплеях и системах лазерной подсветки.

Технические характеристики

Параметр Тип. значение
Тип корпуса немонтированный чип, COS, TO-can
Центральная длина волны 638 нм
Оптическая мощность (CW) 1 Вт
Ширина спектра (FWHM) 1 нм
Рабочее напряжение 2.1 В
Пороговый ток 0.6 А
Эффективность электро-оптического преобразования > 34%
Угол расходимости излучения по быстрой оси 35 град
Угол расходимости излучения по медленной оси 8 град
Рабочий ток 1.4 А
Длина чипа 1500 мкм
Ширина чипа 400 мкм
Толщина чипа 150 мкм
Ширина эмиттера 110 мкм

Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C

О производителе