Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:
Мощные лазерные диоды диапазона 808 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с эффективностью электро-оптического преобразования до 60% и порогового тока менее 1.6 А. Лазерные диоды 808 нм нашли широкое применение в системах оптической накачки твердотельных YAG-лазеров, косметологии, системах лазерной подсветки и оптических атмосферных линиях связи.
| Параметр | Тип. значение |
| Тип корпуса | немонтированный чип, COS, TO-can |
| Центральная длина волны | 808 нм |
| Оптическая мощность (CW) | 5 Вт |
| Ширина спектра (FWHM) | 2 нм |
| Рабочее напряжение | 1.8 В |
| Пороговый ток | 0.7 А |
| Эффективность электро-оптического преобразования | 60% |
| Угол расходимости излучения по быстрой оси | 38 град |
| Угол расходимости излучения по медленной оси | 8 град |
| Рабочий ток | 5 А |
| Длина чипа (резонатора) | 1500 мкм |
| Ширина чипа | 500 мкм |
| Толщина чипа | 150 мкм |
| Ширина эмиттера | 190 мкм |
Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C
Спецификация
Спецификация
Спецификация 
