Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:
Мощные лазерные диоды диапазона 635-640 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с увеличенным внутренним квантовым выходом. Эффективность электро-оптического преобразования предлагаемых лазерных диодов достигает 40%, а рабочий ресурс до 60000 ч при комнатной температуре. Лазерные диоды 635-640 нм находят широкое применение в лазерных проекторах, дисплеях и системах лазерной подсветки.
| Параметр | Тип. значение |
| Тип корпуса | немонтированный чип, COS, TO-can |
| Центральная длина волны | 638 нм |
| Оптическая мощность (CW) | 1 Вт |
| Ширина спектра (FWHM) | 1 нм |
| Рабочее напряжение | 2.1 В |
| Пороговый ток | 0.6 А |
| Эффективность электро-оптического преобразования | > 34% |
| Угол расходимости излучения по быстрой оси | 35 град |
| Угол расходимости излучения по медленной оси | 8 град |
| Рабочий ток | 1.4 А |
| Длина чипа | 1500 мкм |
| Ширина чипа | 400 мкм |
| Толщина чипа | 150 мкм |
| Ширина эмиттера | 110 мкм |
Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C
Спецификация
