Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:
Мощные лазерные диоды диапазона 780-790 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с эффективностью электро-оптического преобразования свыше 60% и порогового тока менее 0.7 А. Лазерные диоды 785 нм в основном применяются для оптической накачки тулиевых твердотельных лазеров (Tm:YAG), которые, в свою очередь, находят широкое применение в медицинских задачах (лазерная хирургия, терапевтические лечение, косметология).
| Параметр | Тип. значение |
| Тип корпуса | немонтированный чип, COS, TO-can |
| Центральная длина волны | 785 нм |
| Оптическая мощность (CW) | 5.4 Вт |
| Ширина спектра (FWHM) | 1.8 нм |
| Рабочее напряжение | 1.7 В |
| Пороговый ток | 0.74 А |
| Эффективность электро-оптического преобразования | 63% |
| Угол расходимости излучения по быстрой оси | 37 град |
| Угол расходимости излучения по медленной оси | 7 град |
| Рабочий ток | 5 А |
| Длина чипа | 4000 мкм |
| Ширина чипа | 400 мкм |
| Толщина чипа | 150 мкм |
| Ширина эмиттера | 96 мкм |
Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C
Спецификация
