Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:
Мощные лазерные диоды диапазона 790-795 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с эффективностью электро-оптического преобразования свыше 55% и порогового тока менее 2 А. Лазерные диоды 790-795 нм в основном применяются для оптической накачки тулиевых волоконных лазеров, которые, в свою очередь, находят широкое применение в медицинских задачах (лазерная хирургия, терапевтические лечение, косметология).
| Параметр | Тип. значение |
| Тип корпуса | немонтированный чип, COS, TO-can |
| Центральная длина волны | 793 нм |
| Оптическая мощность (CW) | 10 Вт |
| Ширина спектра (FWHM) | 2 нм |
| Рабочее напряжение | 1.8 В |
| Пороговый ток | < 2 А |
| Эффективность электро-оптического преобразования | 55.5% |
| Угол расходимости излучения по быстрой оси | 38 град |
| Угол расходимости излучения по медленной оси | 8 град |
| Рабочий ток | 10 А |
| Длина чипа | 4000 мкм |
| Ширина чипа | 500 мкм |
| Толщина чипа | 150 мкм |
| Ширина эмиттера | 190 мкм |
Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C
Спецификация
