denselight-semiconductors

Узкополосные лазерные диоды 1250 – 1700 нм

  • Длина волны: 1260 – 1665 нм
  • Оптическая мощность: до 50 мВт
  • Ширина спектра: <200 кГц
  • Внешняя модуляция: до 622 МГц
  • Тип корпуса: BTF 14-pin/DIL 14-pin
  • Тип волокна: SMF-28/PM Panda, FC/APC
Описание

Описание

DL-CLS – серия узкополосных лазерных диодов с полосой генерации до 5 кГц для применения в системах высокоточной оптической рефлектометрии, лазерной дальнометрии и LIDAR, дистанционных комплексах мониторинга загрязнения окружающей среды, а также в качестве генератора задающего сигнала в волоконных лазерах и источниках микроволнового и терагерцового излучения. Устройство представляет собой узкополосный источник излучения со стабилизированным спектром (+/- 1 пм), выходной мощностью до 50 мВт и низким уровнем шума RIN<-140 дБ/Гц. Для вывода излучения может быть использовано волокно как SM, так и PM-типа. В качестве дополнительной опции предусмотрена возможность использования источника в режиме прямой модуляции излучения с частотой до 622 МГц.

Технические характеристики

Технические характеристики

Модель Центральная длина волны,

нм

 Режим генерации Минимальная оптическая мощность,

мВт

 Ширина спектра (FWHM),

кГц

 SMSR, дБ Тип корпуса
DL-CLS051B-S1260 1260 CW 5 <200 45 BTF
DL-CLS051D-S1260 1260 CW 5 <200 45 DIL
DL-CLS309B-S1260 1260 Pulse 30 <200 45 BTF
DL-CLS309D-S1260 1260 Pulse 30 <200 45 DIL
DL-CLS051B-S1383 1383 CW 5 <200 45 BTF
DL-CLS051D-S1383 1383 CW 5 <200 45 DIL
DL-CLS409B-S1383 1383 Pulse 40 <200 45 BTF
DL-CLS409D-S1383 1383 Pulse 40 <200 45 DIL
DL-CLS101B-S1550 1550 CW 10 <200 45 BTF
DL-CLS101B-FP-S1550-LW200 1550 CW 10 <200 45 BTF
DL-CLS101B-FP-S1550-LW100 1550 CW 10 <100 45 BTF
DL-CLS509B-S1550 1550 Pulse 50 <200 45 BTF
DL-CLS051B-S1648 1648 CW 5 <200 45 BTF
DL-CLS051D-S1648 1648 CW 5 <200 45 DIL
DL-CLS259B-S1648 1648 Pulse 25 <200 45 BTF
DL-CLS081B-S1653 1653 CW 8 <200 45 BTF
DL-CLS051B-S1665 1665 CW 5 <200 45 BTF
О производителе

О производителе

Denselight Semiconductors – это вертикальное полностью интегрированное серийное производство: от изготовления эпитаксиальных полупроводниковых пластин до тестирования и упаковки plug & play источников излучения. Инженерные, испытательные и производственные помещения расположены в чистом помещении площадью 15 000 кв. футов. Компания предлагаем комплексные решения для пользователей, представляющих как промышленные, так и научно-исследовательские организации, ведущие свою деятельность в области оптических телекоммуникаций, диагностического медицинского оборудования и оптической сенсорики. Линейка продукции компании включает: эпитаксиальные гетероструктуры на основе группы материалов InP/InGaAsP/AlGaAs, чиповые структуры FP, DFB лазеров и оптических усилителей (SOA), корпусированные лазерные диоды и суперлюминесцентные диоды с волоконным выводом излучения, узкополосные лазерные модули и широкополосные источники суперлюминесцентного излучения. Все продукты компании проходят жесткий контроль качества на всех этапах производства.

 

Категория: