ИНТЕХ Лайтинг ИНТЕХ Лайтинг
Комплексные решения в области фотоники и оптоэлектроники
ИНТЕХ Лайтинг ИНТЕХ Лайтинг
Комплексные решения в области
фотоники и оптоэлектроники
Работаем по России и странам
Таможенного Союза

Пн - Пт 9:00 - 18:00 (Мск)
Заказать звонок
 +7 (812) 416-34-10
 support@i-photonics.ru
Меню
 +7 (812) 416-34-10
 support@i-photonics.ru
custom-icon 0 items / $0
Каталог
  • Лазерные диоды
  • Лазерные системы

    Непрерывные лазеры

    Импульсные лазеры

    • Диодные лазеры
      • Мощные лазеры
      • Перестраиваемые лазеры
      • Узкополосные лазеры
      • Компактные лазеры
      • Высокостабильные лазеры
      • Многоканальные лазеры
      • Системы оптической накачки
    • Волоконные лазеры
      • Мощные лазеры
      • Перестраиваемые лазеры
      • Узкополосные лазеры
      • Рамановские лазеры
    • Твердотельные лазеры
      • Мощные DPSS лазеры
      • Перестраиваемые DPSS лазеры
      • Узкополосные DPSS лазеры
      • Компактные DPSS лазеры
    • Диодные лазеры
      • Пикосекундные лазеры
      • Субнаносекундные лазеры
    • Волоконные лазеры
      • Наносекундные лазеры
      • Пикосекундные лазеры
      • Фемтосекундные лазеры
      • Перестраиваемые лазеры
    • Твердотельные лазеры
      • Наносекундные лазеры
      • Субнаносекундные лазеры
      • Пикосекундные лазеры
      • Фемтосекундные лазеры
      • Перестраиваемые лазеры

  • Широкополосные источники излучения

    • Симуляторы солнечного излучения
      • Солнечные симуляторы для научных исследований
      • Промышленные солнечные симуляторы
      • Солнечные симуляторы полного отражения
      • УФ солнечные симуляторы
      • Солнечные симуляторы большой площади
      • Солнечные симуляторы с высокой коллимацией
      • Солнечные симуляторы импульсного типа
    • Источники излучения на основе дуговых ламп
      • Источники с пространственным выводом излучения
      • Компактные источники с волоконным выводом излучения
    • Перестраиваемые источники монохроматического излучения
    • ASE-источники излучения
    • Источники суперконтинуума
      • Источники суперконтинуума непрерывного типа
      • Источники суперконтинуума импульсного типа
    • Суперлюминесцентные источники излучения (SLD)
    • Светодиодные источники (LED)
      • Светодиодные модули

  • Устройства управления параметрами излучения

    • Электрооптические модуляторы
    • Акустооптические модуляторы
    • Аттенюаторы
    • Переключатели каналов
    • Перестраиваемые оптические фильтры
    • Линии задержки
    • Оптические усилители

  • Одноканальные фотодетекторы

    • PIN фотодетекторы
    • Фотодетекторы с усилителем
    • Балансные фотодетекторы
    • Детекторы однофотонного излучения
    • Позиционно-чувствительные фотодетекторы
    • Фотодиоды
      • PIN фотодиоды с большой активной областью
      • Быстродействующие фотодиоды
      • Лавинные фотодиоды с большой активной областью

  • Детекторы изображения и камеры

    • Матричные фотоприемные устройства (МФПУ)
      • КМОП/ПЗС сенсоры
      • МФПУ коротковолнового ИК диапазона (SWIR)
      • МФПУ средневолнового ИК диапазона (MWIR)
      • МФПУ длинноволнового ИК диапазона (LWIR)
    • Камеры ИК диапазона
      • Камеры коротковолнового ИК диапазона (SWIR)
      • Камеры средневолнового ИК диапазона (MWIR)
      • Камеры длинноволнового ИК диапазона (LWIR)
    • Камеры видимого диапазона
      • Камеры для машинного зрения и систем видеонаблюдения
      • Высокочувствительные камеры для научных применений (sCMOS/iCCD/iCMOS)
      • Гиперспектральные камеры

  • Аналитическое оборудование
    • Оборудование для спектроскопии
      • Компактные спектрометры
      • Спектрографы-монохроматоры
      • Флуоресцентные спектрометры
      • Рамановские спектрометры
      • Системы лазерно-искровой спектроскопии
      • ИК Фурье-спектрометры
      • Терагерцовые спектрометры
      • Фотодетекторы для спектроскопии
      • Устройства сбора и обработки сигнала
      • Вспомогательные элементы
    • Оборудование для фотометрии
      • Компактные спектрометры UPRtek
      • Спектрорадиометры с фотометрическим шаром
      • Спектрофотометры
    • Оборудование для лазерной метрологии
      • Анализаторы оптического спектра
      • Устройства для измерения оптической мощности
      • Устройства для анализа профиля лазерного пучка
    • Оборудование для фотовольтаики
      • Системы измерения ВАХ солнечных элементов
      • Системы измерения квантовой эффективности фотоэлементов
    • Оборудование для микроскопии
      • Рамановские микроскопы
      • Микроспектрофотометры
      • Гиперспектральные микроскопы
      • Толщинометры
    • Оборудование для рефлектометрии
      • Анализаторы оптического спектра
      • Интеррогаторы
  • Технологическое оборудование

    • Технологическое оборудование для волоконной оптики
      • Аппараты для сварки оптических волокон
    • Технологическое оборудование для оптоэлектроники и интегральной фотоники
      • Автоматические установки посадки чипов
      • Автоматические установки разварки чипов
      • Автоматические установки сортировки чипов
      • Системы лазерной резки и скрайбирования

  • Оптические компоненты

    • Оптические элементы
      • Линзы
      • Фильтры
      • Зеркала
      • Окна
      • Призмы
      • Делители
      • Лазерная оптика
      • Дифракционная оптика
      • Поляризационная оптика
      • Прецизионная оптика
    • Пассивные волоконно-оптические компоненты
      • Специальные оптические волокна
      • Делители/объединители
      • Компоненты волоконных лазеров
      • WDM компоненты
      • Циркуляторы
      • Изоляторы
      • Поляризаторы
      • In-line фильтры
      • Коллиматоры
      • Оптические кабели и зонды
      • Брэгговские решетки
    • Оптомеханические компоненты
      • Оптические столы и плиты
      • Оптические рельсы и платформы
      • Линейные трансляторы
      • Поворотные трансляторы
      • Наклонные трансляторы
      • Гониометры
      • Домкраты
      • Многоосевые трансляторы
      • Юстировщики оптических волокон
      • Моторизированные трансляторы
      • Держатели и крепления
      • Сверхточные пьезопозиционеры

  • Материалы

    • Полупроводниковые материалы
      • Подложки Si
      • Подложки Ge
      • Подложки SiC
      • Подложки группы A3B5
      • Подложки группы A2B6
      • Керамические подложки
    • Сверхчистые материалы
      • Металлы
      • Оксиды
      • Сплавы
    • Кристаллы
      • Лазерные кристаллы
      • Нелинейные кристаллы
      • Электро-оптические кристаллы
      • Сцинтилляционные кристаллы
      • Двулучепреломляющие кристаллы
      • Магнито-оптические кристаллы
    • Технологическая оснастка
      • Тигли
      • Лодки
      • Филаменты
    • Мишени для напыления
      • Металлы
      • Сплавы
      • Оксиды
      • Сульфиды
      • Селениды
      • Бориды
      • Карбиды
      • Силициды
      • Теллуриды
      • Нитриды
      • Фториды

  • О компании
  • Новости
  • Услуги НИОКР

    Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:

    • Разработка дизайна полупроводниковых гетероструктур для задач оптоэлектроники
    • Расчет и оптимизация оптических, электрических и тепловых характеристик оптоэлектронных устройств
    • Эпитаксиальный рост светоизлучающих и фотоприемных гетероструктур методом МОСГФЭ
    • Исследование структурных, оптических и фотоэлектрических свойств функциональных материалов методами рентгеновской спектроскопии, люминесценции и фотовольтаики
    • Постростовая обработка эпитаксиальных пластин и разработка дизайна чиповых структур
    • Технологическая линия по монтажу и корпусированию оптоэлектронных устройств, включающая автоматические машины по сортировке, посадке и разварке полупроводниковых кристаллов для устройств светотехники, лазерной оптики и СВЧ электроники
    • Услуги по разработке спектральных и фотометрических аналитических комплексов, а также проведение испытаний источников излучения различных конструкции
    • Поставка, ввод в эксплуатацию, обучение и сервисное обслуживание технологического оборудования для производства устройств оптоэлектроники, СВЧ техники и интегральной фотоники
    Подробнее
    10
  • Контакты
custom-icon 0 items / $0
uniquanta
ГлавнаяЛазерные системыНепрерывные лазерыНепрерывные диодные лазерыВысокостабильные непрерывные диодные лазеры Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

  • Длина волны 369-1650 нм
  • Полоса генерации ≤1 МГц
  • Оптическая мощность до 200 мВт
  • Нестабильность мощности ≤0.05%
  • Диапазон перестройки до 50 нм

 

закрыть
  • Описание
  • Технические характеристики
  • О производителе
Описание

Описание

Полупроводниковый лазер с внешним резонатором ECL801 представляет собой продукт, основанный на результатах исследований физики холодных атомов в Пекинском университете. Лазерное излучение, генерируемое полупроводниковой структурой во внешнем резонаторе с конструкцией Литтроу, формирует на отражающей дифракционной решетке исходящий лазерный пучок «0» порядка дифракции, в то время как дифрагированное излучение «1» порядка отражается обратно в активную область полупроводникового лазера для селективной генерации узкой полосы излучения (рис . 1 ). Преимущества полупроводникового лазера с внешним резонатором со структурой Литтроу заключаются в простоте конструкции и надежности использования. В конструкции ECL801 добавлена ​​непосредственная связь по току для расширения диапазона непрерывной перестройки лазера (см. рис . 3 ). Кроме того, для совместной работы со стабилизатором частоты, полупроводниковый лазер с внешним резонатором ECL801 Littrow имеет функцию модуляции тока и модуляцию внешнего резонатора ( PZT), которые позволяют достичь наилучшей оптимизации для различных условий эксперимента.

изображение2изображение3

Рис.1 Схематичная диаграмма лазера с внешним резонатором конструкции Литтроу; Рис.2 Вид оптического блока с внешним резонатором

изображение4

Рис.3 (а) Спектр насыщения поглощения атомов рубидия; Рис.3 ( б ) Сверхтонкий спектр изотопов Rb 85 и Rb 87 a и b

изображение5

Рис. 4 (a) Спектр продольной моды полупроводникового лазера с внешним резонатором ECL801; Рисунок 4 (b) Спектр биений полосы генерации полупроводникового лазера с внешним резонатором ECL801

Технические характеристики

Технические характеристики

Центральная длина волны 369-1650нм
Диапазон грубой перестройки длины волны AR: 30-50 нм, FP: 3-10 нм
Диапазон перестройки без перескока мод AR: 10-20 ГГц, FP: 3-20 ГГц
Ширина полосы генерации ≤1 МГц при 50 мс
Максимальная  оптическая мощность 10-200мВт
Нестабильность оптической мощности Пространственный вывод излучения: ≤0,05% при 10 мин, ≤0,5% при 10 ч (изменение температуры окружающей среды менее 2 ℃);

Волоконный вывод излучения: ≤1%@1ч (изменение температуры окружающей среды менее 2℃)

Высота оптической оси 50мм
Волоконный вывод излучения оптическое волокно с сохранением поляризации (FC/APC разъем), эффективность сопряжения ≥65%*, коэффициент затухания ≥25 дБ
Рабочая температура  Диапазон регулировки температуры: 15-40 ℃, стабильность: ≤1 мК при 10 часах
Рабочий ток Диапазон регулировки тока : 0–200 мА (макс.: 5 В/600 мА),
пульсирующий шум: ≤1 мкА, долговременный дрейф: ≤5 мкА, полоса обратной связи: 150 кГц
 Рабочее напряжение Выходное напряжение: 0–60 В, частота сканирования: 0,2–20 Гц, порт обратной связи со встроенной PI-регулировкой
Габариты Оптический блок: 142*65*75 мм 3 Источник питания: шасси 3U, стандарт: 387*340*150 мм 3, Стабилизация  частоты: 483*340*150 мм 3
Условия эксплуатации Температура: 20-30℃, влажность: 20-70%

Типовые характеристики

Центральная длина волны (нм) 369 370-380 390-400 400-410 420-425
Диапазон длин волн (нм) 3 3 3 3 3
Выходная мощность (мВт) 15 25 20/80 150 40/80
Центральная длина волны (нм) 435-465 465-480 483-493 510-520 /
Диапазон длин волн (нм) 4 4 3 5 /
Выходная мощность (мВт) 300 180 120 80 /
Центральная длина волны (нм) 633 642/658 679-690 683-688 695-708
Выходная мощность (мВт) 8 80 20 50 30
Центральная длина волны (нм) 722-737 765-795 800-840 850-880 894-928
Выходная мощность (мВт) 35 80 50 100 80
Центральная длина волны (нм) 925-989 989-1088 1518-1556 1616-1649 /
Выходная мощность (мВт) 40 80 100 70 /
О производителе

О производителе

Beijing Unilight Technology Co., Ltd. является высокотехнологичным предприятием на основе Научного парка Пекинского университета и Школы информационных наук и технологий Пекинского университета. Продукция предприятия охватывает полупроводниковые лазеры с внешним резонатором, полупроводниковые лазерные усилители, лазерные системы со стабилизированной частотой, лазерные системы с удвоением частоты и различные промежуточные и передовые оптоэлектронные обучающие продукты.

Компания придерживается концепции технологических инноваций, уделяет пристальное внимание передовым научным исследованиям, реализует сочетание производства, обучения и исследований и предоставляет высокопроизводительные, высококачественные оптоэлектронные устройства и различные оптические технологические решения для отечественных и зарубежных университетов, научно-исследовательских институтов и промышленных предприятий.

Категория: Высокостабильные непрерывные диодные лазеры

Похожие товары

uniquanta
Закрыть

Полупроводниковые DBR-лазеры 767-1064 нм

UniQuanta
  • Длины волн 767-1064 нм
  • Полоса генерации ≤1 МГц
  • Выходная мощность до 180 мВт
  • Нестабильность мощности ≤0.05%
  • Диапазон перестройки +/- 2 нм
Добавить в корзину
Быстрый просмотр
Newuniquanta
Закрыть

Лазеры с удвоением частоты 397 – 532 нм

UniQuanta
  • Центр. длина волны 397 - 532 нм
  • Выходная мощность 10 - 260 мВт
  • Диапазон перестройки 5-15 ГГц
  • Полоса генерации < 2 МГц
Добавить в корзину
Быстрый просмотр
uniquanta
Закрыть

Узкополосный ECL лазер 780 нм

UniQuanta
  • Центр. длина волны 780 нм
  • Полоса генерации < 150 кГц
  • Выходная мощность > 80 мВт
  • Диапазон перестройки 776-782 нм
  • Нестабильность мощности < 0.05%
Добавить в корзину
Быстрый просмотр
uniquanta
Закрыть

Усилитель лазерного излучения 732 – 852 нм

UniQuanta
  • Центр. длина волны 732 - 852 нм
  • Выходная мощность до 3000 мВт
  • Совместимость с DFB, DBR и ECL 
Добавить в корзину
Быстрый просмотр
uniquanta
Закрыть

Узкополосный ECL-лазер 795 нм

UniQuanta
  • Цент. длина волны 795 нм
  • Полоса генерации <150 кГц
  • Выходная мощность >80 мВт
  • Диапазон перестройки 793-798 нм
  • Нестабильность мощности < 0.05%
Добавить в корзину
Быстрый просмотр
uniquanta
Закрыть

Полупроводниковые DFB-лазеры 767-852 нм

UniQuanta
  • Длины волн 767,780,795,852 нм
  • Полоса генерации ≤1 МГц
  • Выходная мощность до 150 мВт
  • Нестабильность мощности ≤0.05%
  • Диапазон перестройки +/- 1 нм
Добавить в корзину
Быстрый просмотр

ООО «Интех Лайтинг» поставщик лазерных и светодиодных источников излучения, фотоэлектрических преобразователей и оптических модуляторов, контрольно-измерительного и технологического оборудования, комплектующих и материалов для высокотехнологичных областей науки и промышленности.
Мы оказываем услуги научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ (НИОКР) в области оптоэлектроники и оптической метрологии.

  • О компании
  • Новости
  • Услуги НИОКР
  • Контакты

196105, Россия, г. Санкт-Петербург, ул. Свеаборгская д.12, лит. А, пом. 54H

 +7 (812) 416-34-10

 support@i-photonics.ru

© ООО «ИНТЕХ Лайтинг»

Политика конфиденциальности

Корзина

закрыть
Заказать звонок

    Пожалуйста, докажите, что вы человек, выбрав сердце.

    • Меню
    • Разделы
    • О компании
    • Новости
    • Услуги НИОКР
    • Контакты
    • Лазерные диоды
    • Лазерные системы
    • Широкополосные источники излучения
    • Устройства управления параметрами излучения
    • Одноканальные фотодетекторы
    • Детекторы изображения и камеры
    • Аналитическое оборудование
    • Технологическое оборудование
    • Оптические компоненты
    • Материалы
    Sidebar Scroll To Top
    Мы используем файлы cookie, чтобы вам было удобнее пользоваться нашим сайтом. Просматривая этот сайт, вы соглашаетесь на использование файлов cookie.
    Принять