Каталог
Кристаллы LiNbO3
Описание
Ниобат лития (LiNbO3) широко используется в качестве электрооптического модулятора и Q-переключателя для лазеров Nd: YAG, Nd: YLF и Ti: Sapphire, а также в качестве модулятора для волоконной оптики и т. Д. Поперечная модуляция в основном используется для кристалла LiNbO3.
Также кристалл LiNbO3 широко используется в качестве удвоителя частоты для длин волн> 1 мкм и оптических параметрических генераторов (OPO) с накачкой на длине волны 1064 нм, а также устройств квазисинхронизированных (QPM) устройств.
Технические характеристики
| Кристальная структура | Тригональная, пространственная группа R3c |
| Параметры ячейки | a = 0,515Å, c = 13,863Å, Z = 6Å |
| Температура плавления | 1 255 ± 5 о С |
| Кюри Пойнт | 1140 ± 5 о С |
| Твердость по Моосу | 5 |
| Плотность | 4,64 г / см 3 |
| Коэффициент поглощения | ~ 0,1% / см @ 1064 нм |
| Растворимость | не растворим в воде |
| Относительная диэлектрическая проницаемость | e T 11 / e 0 : 85, e T 33 / e 0 : 29,5 |
| Коэффициенты теплового расширения (при 25 o C) | || a, 2,0 x 10 -6 / K, || c, 2,2 x 10 -6 / K |
| Теплопроводность | 38 Вт / м / К при 25 o C |
| Диапазон прозрачности | 420-5200 нм |
| Оптическая однородность | ~ 5 х 10-5 / см |
| Уравнения Селлмейера (λ в мкм) | n o 2 = 4,9048 + 0,11768 / (λ 2 — 0,04750) — 0,027169λ 2 n e 2 = 4,5820 + 0,099169 / (λ 2 — 0,04443) — 0,021950λ 2 |
| Коэффициенты NLO | d 33 = 34,4 пм / В d 31 = d 15 = 5,95 пм / В d 22 = 3,07 пм / В |
| Электрооптические коэффициенты | g T 33 = 32 пм / В, g S 33 = 31 пм / В g T 31 = 10 пм / В, g S 31 = 8,6 пм / В g T 22 = 6,8 пм / В, g S 22 = 3,4 пм / V |
| Полуволновое напряжение, постоянный ток | Электрическое поле || z, свет ⊥ z 3,03 кВ Электрическое поле || x или y, свет || z 4,02 кВ |
| Коэффициенты NLO эффективности | d eff = 5,7pm / V или ~ 14,6xd 36 (KDP) для удвоения частоты 1300 нм; d eff = 5,3pm / V или ~ 13,6xd 36 (KDP) для OPO, закачиваемого на 1300 нм; d eff = 17,6 пм / В или ~ 45xd 36 (KDP) для квазисинхронизированной структуры; |
| Порог повреждения | 200 МВт / см 2 |
| Допуск размера | ± 0,1 мм |
| Угловой допуск | ± 0,5 ° |
| Плоскостность поверхности | <λ / 8 @ 633 нм |
| Искажение волнового фронта | <λ / 4 @ 633 нм |
| Параллелизм | <20 угловых секунд |
| Перпендикулярность | <5 угловых минут |
| Качество поверхности | 20/10 Царапай и копай |
| Чистая диафрагма | > 95% |
| Покрытие | Просветляющее покрытие По желанию заказчика |
