Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:
Арсенид галлия (GaAs), пожалуй, наиболее востребованный материал для создания устройств оптоэлектроники и СВЧ-техники благодаря высокой подвижностью электронов. Подложки GaAs применяется при создании эпитаксиальных гетероструктур для светодиодов, лазерных диодов, фотоэлектрических преобразователей, транзисторов с высокой подвижностью электронов и биполярных транзисторов.
| Метод роста | VGF, VB | |
| Диаметр | 2, 3, 4, 6″ | |
| Толщина | 0.35, 0.65 мм | |
| Кристаллографическая ориентация | <100>,<110>, <111>, доступны варианты с разориентацией 6-10 град | |
| Допустимая разориентация | +/- 0.5 град | |
| Легирование | Нелегированная, n- типа (легированная Si), p-типа (легированная Zn) | |
| Концентрация примеси | (0.5 – 2)x1018 см-3 | |
| Полировка | Односторонняя или двухсторонняя | |
| Плотность поверхностных дефектов (EPD) | <5000/cm2, другие по запросу | |
| Шероховатость | Ra < 5A @ 5×5 мкм | |
