Описание
Арсенид галлия (GaAs), пожалуй, наиболее востребованный материал для создания устройств оптоэлектроники и СВЧ-техники благодаря высокой подвижностью электронов. Подложки GaAs применяется при создании эпитаксиальных гетероструктур для светодиодов, лазерных диодов, фотоэлектрических преобразователей, транзисторов с высокой подвижностью электронов и биполярных транзисторов.