Каталог
Подложки GaAs
- Диаметр до 6 дюймов
- Толщина 0.35 — 0.65 мм
- Одна/двухсторонняя полировка
- Ориентация <100>,<110>, <111>
Описание
Арсенид галлия (GaAs), пожалуй, наиболее востребованный материал для создания устройств оптоэлектроники и СВЧ-техники благодаря высокой подвижностью электронов. Подложки GaAs применяется при создании эпитаксиальных гетероструктур для светодиодов, лазерных диодов, фотоэлектрических преобразователей, транзисторов с высокой подвижностью электронов и биполярных транзисторов.
Технические характеристики
| Метод роста | VGF, VB | |
| Диаметр | 2, 3, 4, 6″ | |
| Толщина | 0.35, 0.65 мм | |
| Кристаллографическая ориентация | <100>,<110>, <111>, доступны варианты с разориентацией 6-10 град | |
| Допустимая разориентация | +/- 0.5 град | |
| Легирование | Нелегированная, n- типа (легированная Si), p-типа (легированная Zn) | |
| Концентрация примеси | (0.5 — 2)x1018 см-3 | |
| Полировка | Односторонняя или двухсторонняя | |
| Плотность поверхностных дефектов (EPD) | <5000/cm2, другие по запросу | |
| Шероховатость | Ra < 5A @ 5×5 мкм | |
О производителе
Похожие товары
-
Подложки GaN
Добавить в корзину- Диаметр до 4 дюймов
- Толщина 0.3 - 0.45 мм
- Одна/двухсторонняя полировка
- Ориентация <0001>
-
Подложки GaSb
Добавить в корзину- Диаметр до 4 дюймов
- Толщина 0.5 - 0.8 мм
- Одна/двухсторонняя полировка
- Ориентация <100>, <111>
-
Подложки InP
Добавить в корзину- Диаметр до 4 дюймов
- Толщина 0.35 - 0.6 мм
- Одна/двухсторонняя полировка
- Ориентация <100>, <111>
-
Подложки InSb
Добавить в корзину- Диаметр до 4 дюймов
- Толщина 0.5 - 0.8 мм
- Одна/двухсторонняя полировка
- Ориентация <100>, <111>
