Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:
Антимонид галлия (GaSb) является одним из важнейших полупроводниковых материалов для инфракрасной оптоэлектроники. На основе GaSb производятся многие неохлаждаемые одноканальные и матричные инфракрасные детекторы средневолнового и длинноволнового ИК диапазона. Фотоприемные устройства на основе GaSb обладают долгим сроком службы, высокой чувствительностью и надежностью. Подложки GaSb также широко применяются в технологии эпитаксиального роста лазерных гетероструктур.
| Метод роста | LEC, VGF, VBG | |
| Диаметр | 2, 3, 4″ | |
| Толщина | 0.5, 0.6, 0.8 мм | |
| Кристаллографическая ориентация | <100>, <111> | |
| Допустимая разориентация | +/- 0.5 град | |
| Легирование | Нелегированная, n- типа (легированная Te), p-типа (легированная Zn) | |
| Концентрация примеси | (0.1 – 2)x1018 см-3 | |
| Полировка | Односторонняя или двухсторонняя | |
| Плотность поверхностных дефектов (EPD) | <2000/cm2, другие по запросу | |
| Шероховатость | Ra < 5A @ 5×5 мкм | |
