Подложки InAs

  • Диаметр до 4 дюймов
  • Толщина 0.5 — 0.8 мм
  • Одна/двухсторонняя полировка
  • Ориентация <100>, <111>

Описание

Монокристалл InAs может использоваться в качестве материала подложки для производства эпитаксиальных гетероструктур InAsSb/AlGaAsSb для  устройств инфракрасной оптоэлектроники, таких как оптические газоанализаторы или светодиоды. Кроме того, кристалл InAs является идеальным материалом для изготовления устройств на основе эффекта Холла благодаря высокой подвижности электронов.

Технические характеристики

Метод роста LEC
Диаметр 2, 3, 4″
Толщина 0.5, 0.6, 0.8 мм
Кристаллографическая ориентация <100>, <111>
Допустимая разориентация +/- 0.5 град
Легирование Нелегированная, n- типа (легированная Sn или S), p-типа (легированная Zn)
Концентрация примеси (0.1 — 2)x1018 см-3
Полировка Односторонняя или двухсторонняя
Плотность поверхностных дефектов (EPD) <5000/cm2, другие по запросу
Шероховатость Ra < 5A @ 5×5 мкм

О производителе