Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:
InSb еще один важный материал для ИК оптоэлектроники с экстремально малой шириной запрещенной зоны (порядка 0.15 эВ). Узкощелевой InSb может использоваться в качестве основного материала для производства фотоприемных устройств среднего ИК диапазона, например для создания охлаждаемых матричных датчиков изображения диапазона 3 – 5 мкм. В некоторых случаях кристалл InSb применятся в качестве источника терагерцового излучения (эффект Дембера).
| Метод роста | LEC | |
| Диаметр | 2, 3, 4″ | |
| Толщина | 0.5, 0.6, 0.8 мм | |
| Кристаллографическая ориентация | <100>, <111> | |
| Допустимая разориентация | +/- 0.5 град | |
| Легирование | Нелегированная, n- типа (легированная Te), p-типа (легированная Ge) | |
| Концентрация примеси | (0.1 – 2)x1018 см-3 | |
| Полировка | Односторонняя или двухсторонняя | |
| Плотность поверхностных дефектов (EPD) | <500/cm2, другие по запросу | |
| Шероховатость | Ra < 5A @ 5×5 мкм | |
