Малошумящие InGaAs-ext. PIN-детекторы с усилителем KY-PRM
- Диапазон 800-3600 нм
- Диаметр фотоэлемента 80мкм-1мм
- Полоса пропускания до 150 МГц
- Время нарастания < 35 нс
- Оптический вход FC или Free space
Описание
Малошумящие PIN-фотоприемники серии KY-PRM объединяют высоколинейный аналоговый PIN-детектор (GaN, Si или InGaAs) и малошумящий широкополосный трансимпедансный усилитель с высоким коэффициентом усиления, высокой чувствительностью, сопряжению по переменному току и равномерным усилением. Модуль питается от положительного напряжения 12 В, а входной оптический интерфейс доступен как для оптического волокна, так и для пространственных источников излучения. Волоконный интерфейс универсален для одномодового и многомодового оптического волокна. Электрический сигнал передается через аналоговый выход SMA. Фотодетекторы в основном используются для анализа амплитудно-фазовых характеристик пико и нано секундных оптических импульсов, лазерной связи, лазерных радарах, оптоволоконной системе зондирования и других приложениях. Также фотоприемные модули доступны в мультиканальном исполнении.
Технические характеристики
Параметры производительности
PN | KY-PRM-BW-I2 | KY-PRM-BW-I3 | KY-PRM-BW-I4 | KY-PRM-200M-I5 |
Тип детектора | InGaAs / PIN | |||
Оптический вход | Free Space или FC/APC | |||
Спектральный диапазон | 800 ~ 2100 нм | 800-2400 нм | 800 ~ 2600 нм | 1500 ~ 3600 нм |
Пиковая фоточувствительность | 1.2А/Вт@1900 нм | 1 А / Вт @ 2100 нм | 1.3A/Вт@2300 нм | 1.0A/Вт@3200 нм |
Диаметр активной области фотоэлемента | 1 мм | 80 мкм | 1 мм | 80 мкм |
Ширина полосы пропускания (3 дБ) | 10 МГц | 150 МГц | 10 МГц | 150 МГц |
Усиление* | 30 кВ /Вт @ 1900 нм | 30 кВ / Вт @ 2100 нм | 30кВ/Вт@2300 нм | 30×10 3 В / Вт @ 3200 нм |
Время нарастания | 35 нс | 1,8 нс | 35 нс | 1,8 нс |
Оптическая мощность насыщения* | 100 мкВт | 120 мкВт | 100 мкВт | 120 мкВт |
Сопряжение по току | DC | |||
Выходное сопротивление | 50 Ом | |||
Эквивалентная мощность шума NEP | 21,1 пВт / √Гц | 14,5 пВт / √Гц | 28 пВт / √Гц | 14,5 пВт / √Гц |
Суммарное выходное шумовое напряжение * | 12 мВ | 32 мВ | 16 мВ | 32 мВ |
* При высоком сопротивлении, если нагрузка составляет 50 Ом, соответствующее значение уменьшается вдвое.
Кривая спектральной фоточувствительности
Длинноволновый InGaAs фотоприемник 800-2400 нм
Длинноволновый InGaAs фотоприемник 1500-3600 нм
Габариты (единица измерения : мм)
C FC-входом
С Free space входом
О производителе
Компания Beijing Keyang Photonics Technology Co., Ltd. расположена в Пекине. Cпециализируется на исследованиях и разработках, производстве, продаже и обслуживании продуктов, связанных с электрооптической модуляцией и фотоэлектрическими технологиями обнаружения.
Интех Лайтинг является представителем Keyang Photonics на территории России и предоставляет полную техническую поддержку и наиболее выгодные условия поставки продукции компании.