Name: Быстродействующий InGaAs фотодиод HSPD
SKU: 7546
Availability: InStock

Быстродействующий InGaAs фотодиод HSPD

Длины волн 1000-1650 нм
Полоса пропускания до 30 ГГц
Оптическая мощность до + 7 дБм
Темновой ток < 10 нА
Амплитудная неравномерность ≤±2 дБ

Описание

Высокоскоростной оптический фотодетектор HSPD предназначен как для цифровых, так и для аналоговых приложений. Модуль содержит InGaAs PIN-фотодиод с диапазоном спектральной фоточувствительности от 1250 до 1650 нм и необходимую согласующую электронику.
Оптический фотодетектор HSPD способен обеспечить полосу пропускания 8 ГГц, 12 ГГц, 18 ГГц, 22 ГГц или 30 ГГц. Модуль работает при смещении +3,3 или +5В (в зависимости от модели HSPD) и совместим со стандартным одномодовым оптоволоконном 9/125 мкм. Выходной РЧ канал представляет собой разъем SMA, или разъем 2,92 мм, соответствующий импедансу 50 Ом.
HSPD имеет герметичный корпус и весит менее 15 грамм.

Технические характеристики

Эксплуатационные характеристики
Параметр	Типовое значение	Максимальный диапазон	Ед. изм
Температура хранения	-45 ～ +85	-55 ～ +100	℃
Рабочая Температура	25	-40 ～ +85	℃
Напряжение смещения	+3.3	+2.8 ～ +5	В
Оптическая входная мощность	0	+7	дБм
Предельная оптическая мощность	–	+10	дБм

Электрические/оптические характеристики (T _C = 22 ± 3 ℃)
Параметр	Условия испытаний		Значение параметра					Ед. изм
Длина волны	－		1000～1650					нм
Частота	－		C-диапазон	X-диапазон	Ku-диапазон	Ку ⁺ -диапазон	К ⁺ -диапазон	－
Полоса пропускания	Т _С = 22 ± 3 ℃		0.1～8	0.3～12	0.8～18	2～22	2～30	ГГц
Фоточувствительность	V _R , Pin =1 мВт	λ = 1310 нм	≥ 0.85	≥ 0.85	≥ 0.9	≥ 0.85	≥ 0.85	А/Вт
Фоточувствительность	V _R , Pin =1 мВт	λ = 1550 нм	≥ 0.9	≥ 0.9	≥ 0.85	≥ 0.80	≥ 0.80	А/Вт
Амплитудная неравномерность	Т _С =-40 ～+85 ℃		≤±1.5	≤±1.5	≤ ±1.5	≤±2	≤±2	дБ
Коэффициент стоячей волны	－		≤ 2	≤ 2	≤ 2.2	≤ 2.5	≤ 2.5	－
Напряжение смещения	－		+3.3	+3.3	+3.3	+3.3	+5	В
РЧ-разъем	－		SМА	SМА	SМА	2,92 мм	2,92 мм	－
Оптическая мощность насыщения	V _R , λ = 1550 нм, Модулированный переменным током		+7	+7	+7	+7	+7	дБм
Темновой ток	VR		≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10	нА
Выходная ВЧ-мощность насыщения	－		-10					дБм
Выходное сопротивление	－		50					Ом

Типовые амплитудно-частотные характеристики

(V _{R ,} λ=1550 нм, TC =25 ºC, Pin=0 дБм)

1 1 — **Рис. 1 Частотная характеристика фотодетектора C-диапазона**

2 1 — **Рис. 2 Частотная характеристика фотодетектора X-диапазона**

**Рис. 3 Частотная характеристика фотодетектора Ku-диапазона**

**Рис. 4 K+ – частотная характеристика фотодетектора K+ диапазона**

Габариты и контакты (единица измерения: мм [дюйм])

РЧ-разъем: SMA или 2,92 мм

Комплексные решения в области фотоники и оптоэлектроники

Комплексные решения в области
фотоники и оптоэлектроники

Работаем по России и странам
Таможенного Союза
Пн - Пт 9:00 - 18:00 (Мск)

Непрерывные лазеры

Импульсные лазеры

Быстродействующий InGaAs фотодиод HSPD

Описание

Технические характеристики

Типовые амплитудно-частотные характеристики

Габариты и контакты (единица измерения: мм [дюйм])

О производителе

Корзина

Непрерывные лазеры

Импульсные лазеры

Быстродействующий InGaAs фотодиод HSPD

Описание

Технические характеристики

Типовые амплитудно-частотные характеристики

Габариты и контакты (единица измерения: мм [дюйм])

О производителе

Похожие товары

Быстродействующий гибридный InGaAs фотодиод HHPD

Быстродействующий InGaAs-фотодиод с усилителем FCAMPD

Быстродействующий InGaAs фотодиод с усилителем AMPD-D

Компактный быстродействующий ​​InGaAs-фотодиод

Быстродействующие фотодиоды FCPD InGaAs

Многоканальный быстродействующий фотодиод с усилителем

Корзина

Компактный быстродействующий InGaAs-фотодиод