Закрыть
DFB лазерный диод высокой мощности NY55D
- Центр. длина волны 1550 нм
- Выходная мощность до 100 мВт
- Пороговый ток 40 мА
- Рабочее напряжение 2.5 В
- RIN < -160 дБ/Гц
Спецификация 
Закрыть
DFB лазерный диод с прямой модуляцией NY15D
- Пиковая длина волны 1550 нм
- Оптическая мощность до 10 мВт
- Частота модуляции до 18 ГГц
- RIN < - 130 дБ/Гц
- Пороговый ток 10 мА
Спецификация 
Закрыть
DFB лазерный диод с прямой модуляцией NYCMD
- Центр. длина волны 1310 нм
- Оптическая мощность до 10 мВт
- Частота модуляции до 18 ГГц
- RIN < -130 дБ/Гц
- Пороговый ток 10 мА
Спецификация 
Закрыть
Быстродействующие фотодиоды FCPD InGaAs
- Длины волн 1000-1650 нм
- Темновой ток ≤10 нА
- Полоса пропускания до 8 ГГц
- Оптическая мощность до 5 дБм
- Амплитудная неравномерность ≤±1,5 дБ
Спецификация 
Закрыть
Быстродействующий InGaAs фотодиод HSPD
- Длины волн 1000-1650 нм
- Полоса пропускания до 30 ГГц
- Оптическая мощность до + 7 дБм
- Темновой ток < 10 нА
- Амплитудная неравномерность ≤±2 дБ
Спецификация 
Закрыть
Быстродействующий InGaAs фотодиод с усилителем AMPD-D
- Длины волн 1000-1650 нм
- Полоса пропускания до 20 ГГц
- Оптическая мощность до 10 дБм
- Коэффициент усиления до 30 дБ
- Амплитудная неравномерность ≤ ± 2 дБ
Спецификация 
Закрыть
Быстродействующий InGaAs-фотодиод с усилителем FCAMPD
- Длины волн 1000-1650 нм
- Полоса пропускания до 5 ГГц
- Оптическая мощность до 5 дБм
- Коэффициент усиления до 30 дБ
- Темновой ток ≤ 10 нА
Спецификация 
Закрыть
Быстродействующий гибридный InGaAs фотодиод HHPD
- Длины волн 1000-1650 нм
- Полоса пропускания 12 или 18 ГГц
- Оптическая мощность до +13 дБм
- Амплитудная неравномерность ≤ ±1,5 дБ
- Одномодовое волокно 9/125 мкм
Спецификация