Закрыть
InGaAs фотодиоды с большой активной областью
- Длины волн 0,6–2,2 мкм
- Тип корпyса Chip/CLCC/TO-Can
- Диаметр фотоэлемента 0.5-5 мм
Спецификация 
Комплексные решения в области фотоники и оптоэлектроники
Комплексные решения в области
фотоники и оптоэлектроники
Работаем по России и странам
Таможенного Союза
Пн - Пт 9:00 - 18:00 (Мск)
-
Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:
- Разработка дизайна полупроводниковых гетероструктур для задач оптоэлектроники
- Расчет и оптимизация оптических, электрических и тепловых характеристик оптоэлектронных устройств
- Эпитаксиальный рост светоизлучающих и фотоприемных гетероструктур методом МОСГФЭ
- Исследование структурных, оптических и фотоэлектрических свойств функциональных материалов методами рентгеновской спектроскопии, люминесценции и фотовольтаики
- Постростовая обработка эпитаксиальных пластин и разработка дизайна чиповых структур
- Технологическая линия по монтажу и корпусированию оптоэлектронных устройств, включающая автоматические машины по сортировке, посадке и разварке полупроводниковых кристаллов для устройств светотехники, лазерной оптики и СВЧ электроники
- Услуги по разработке спектральных и фотометрических аналитических комплексов, а также проведение испытаний источников излучения различных конструкции
- Поставка, ввод в эксплуатацию, обучение и сервисное обслуживание технологического оборудования для производства устройств оптоэлектроники, СВЧ техники и интегральной фотоники
Спецификация