Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:
Мощные лазерные диоды 905 нм, работающие в QCW режиме генерации, разработаны на основе уникального зонного дизайна гетероструктуры, содержащей сразу несколько туннельно связанных активных областей (эмиттеров). Такой подход позволяет достичь высокой мощности излучения до 25 Вт при длительности импульса порядка 100 нс и инжекционном токе менее 10 А.
| Параметр | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Ед. измерения |
| Центральная длина волны | 895 | 905 | 915 | нм |
| Пиковая мощность в импульсе | 20 | 25 | 32 | Вт |
| Ширина спектра (FWHM) | 6 | 10 | нм | |
| Рабочее напряжение | 8.5 | 10 | В | |
| Пороговый ток | 0.3 | 0.5 | A | |
| Угол расходимости излучения по быстрой оси | 29 | град | ||
| Угол расходимости излучения по медленной оси | 12 | град | ||
| Ширина импульса | 100 | нс | ||
| Частота повторения импульсов | 5 | кГц | ||
| Рабочий ток | 8 | 9 | 10 | А |
| Длина чипа | 790 | 800 | 810 | мкм |
| Ширина чипа | 390 | 400 | 410 | мкм |
| Толщина чипа | 125 | 135 | 145 | мкм |
| Размер эмиттерной области | 80×10 | мкм |
Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C
