Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:
Мощные лазерные диоды диапазона 755 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с эффективностью электро-оптического преобразования свыше 50% и порогового тока менее 2 А. Лазерные диоды 755 нм находят широкое в медицинских лазерных установках предназначенных для активации молекул меланина в слоях дермы кожи.
| Параметр | Тип. значение |
| Тип корпуса | немонтированный чип, COS, TO-can |
| Центральная длина волны | 755 нм |
| Оптическая мощность (CW) | 8 Вт |
| Ширина спектра (FWHM) | 2 нм |
| Рабочее напряжение | 1.9 В |
| Пороговый ток | < 2 А |
| Эффективность электро-оптического преобразования | 52% |
| Угол расходимости излучения по быстрой оси | 36 град |
| Угол расходимости излучения по медленной оси | 10 град |
| Рабочий ток | 8 А |
| Длина чипа | 2500 мкм |
| Ширина чипа | 500 мкм |
| Толщина чипа | 150 мкм |
| Ширина эмиттера | 350 мкм |
Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C
Спецификация
Спецификация
Спецификация
Спецификация 
