InGaAs PIN фотодетекторы KY-PDM
- Материал фотодиода InGaAs
- Диапазон 800-1700 нм
- Время нарастания <70 ps
- Полоса пропускания до 5 ГГц
Si PIN-фотодетекторы KY-PDM
- Материал фотодиода Si
- Диапазон 400-1100 нм
- Время нарастания <180 ps
- Полоса пропускания до 2 ГГц
- Оптический интерфейс FC или Free space
Балансные InGaAs фотодетекторы (FC/PC) KY-BPRM
- Диапазон 800-1700 нм
- Диаметр фотоэлемента 75 мкм
- Полоса пропускания до 1.5 ГГц
- Фоточувствительность 0.9 А/Вт
- Оптический разъем FC/APC
Балансные InGaAs фотодетекторы (Free space) KY-BPRM
- Диапазон 800-1700 нм
- Диаметр фотоэлемента 500 мкм
- Полоса пропускания до 75 МГц
- Фоточувствительность 0.9 А/Вт
- Оптический вход free space
Балансные Si фотодетекторы (FC/PC) KY-BPRM
- Диапазон 400-1100 нм
- Диаметр фотоэлемента 0.5 - 1.2 мм
- Полоса пропускания до 350 МГц
- Фоточувствительность 0.5 А/Вт
- Оптический разъем FC/APC
Балансные Si фотодетекторы (Free space) KY-BPRM
- Диапазон 400-1100 нм
- Диаметр фотоэлемента 0.5-1.2 мм
- Полоса пропускания до 350 МГц
- Время нарастания < 30 нс
- Оптический интерфейс FC или Free space
Волоконные усилители C, L, C+L-диапазона EDFA-PA
- Макс. усиление до 50 дБ
- Коэф. шума < 5 дБ
- Выходная мощность >10 дБм
- Длина волны C, L или C+L диапазоны
- Мин. входная мощность - 45 дБм
Волоконные усилители C, L-диапазона EDFA-BA
- Макс. усиление 37 дБ
- Коэф. шума < 5 дБ
- Вых. мощность до 27 дБм
- Длина волны C или L-диапазон
- Мин. входная мощность -10 дБм