Лазерные диоды 638 нм, 500 мВт на сабмаунте

  • Центр. длина волны 638 нм
  • Оптическая мощность 500 мВт (CW)
  • Ширина спектра 1 нм
  • Ширина эмиттера 40 мкм
  • Рабочий ток 0.7 А

Описание

Мощные лазерные диоды диапазона 635-640 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с увеличенным внутренним квантовым выходом. Эффективность электро-оптического преобразования предлагаемых лазерных диодов достигает 40%, а рабочий ресурс до 60000 ч при комнатной температуре. Лазерные диоды 635-640 нм находят широкое применение в лазерных проекторах, дисплеях и системах лазерной подсветки.

Технические характеристики

Параметр Тип. значение
Тип корпуса немонтированный чип, COS, TO-can
Центральная длина волны 638 нм
Оптическая мощность (CW) 500 мВт
Ширина спектра (FWHM) 1 нм
Рабочее напряжение 2.1 В
Пороговый ток 0.2 А
Эффективность электро-оптического преобразования > 32%
Угол расходимости излучения по быстрой оси 36 град
Угол расходимости излучения по медленной оси 10 град
Рабочий ток 0.7 А
Длина чипа 1500 мкм
Ширина чипа 300 мкм
Толщина чипа 150 мкм
Ширина эмиттера 40 мкм

Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C

О производителе