Лазерные диоды 638 нм, 500 мВт на сабмаунте
- Центр. длина волны 638 нм
- Оптическая мощность 500 мВт (CW)
- Ширина спектра 1 нм
- Ширина эмиттера 40 мкм
- Рабочий ток 0.7 А
Описание
Мощные лазерные диоды диапазона 635-640 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с увеличенным внутренним квантовым выходом. Эффективность электро-оптического преобразования предлагаемых лазерных диодов достигает 40%, а рабочий ресурс до 60000 ч при комнатной температуре. Лазерные диоды 635-640 нм находят широкое применение в лазерных проекторах, дисплеях и системах лазерной подсветки.
Технические характеристики
Параметр | Тип. значение |
Тип корпуса | немонтированный чип, COS, TO-can |
Центральная длина волны | 638 нм |
Оптическая мощность (CW) | 500 мВт |
Ширина спектра (FWHM) | 1 нм |
Рабочее напряжение | 2.1 В |
Пороговый ток | 0.2 А |
Эффективность электро-оптического преобразования | > 32% |
Угол расходимости излучения по быстрой оси | 36 град |
Угол расходимости излучения по медленной оси | 10 град |
Рабочий ток | 0.7 А |
Длина чипа | 1500 мкм |
Ширина чипа | 300 мкм |
Толщина чипа | 150 мкм |
Ширина эмиттера | 40 мкм |
Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C