Импульсные лазерные диоды 905 нм, 50 Вт

Длина волны 905 нм
Оптическая мощность 50 Вт
Длительность импульса 100 нс
Ширина спектра 6 нм
Рабочий ток 15-16 А

Количество

шт

Под заказ

Производитель Everbright

Мощные лазерные диоды 905 нм, работающие в QCW режиме генерации, разработаны на основе уникального зонного дизайна гетероструктуры, содержащей сразу несколько туннельно связанных активных областей (эмиттеров). Такой подход позволяет достичь высокой мощности излучения до 50 Вт при длительности импульса порядка 100 нс и инжекционном токе менее 18 А.

Технические характеристики

Параметр	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Ед. измерения
Центральная длина волны	895	905	915	нм
Пиковая мощность в импульсе	45	50	55	Вт
Ширина спектра (FWHM)		6	10	нм
Рабочее напряжение		8	9	В
Пороговый ток		0.6	1.0	A
Угол расходимости излучения по быстрой оси		29		град
Угол расходимости излучения по медленной оси		12		град
Ширина импульса		100		нс
Частота повторения импульсов		5		кГц
Рабочий ток	15	16	18	А
Длина чипа	790	800	810	мкм
Ширина чипа	490	500	510	мкм
Толщина чипа	125	135	145	мкм
Размер эмиттерной области		160x10		мкм