Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:
- Разработка дизайна полупроводниковых гетероструктур для задач оптоэлектроники
- Расчет и оптимизация оптических, электрических и тепловых характеристик оптоэлектронных устройств
- Эпитаксиальный рост светоизлучающих и фотоприемных гетероструктур методом MOCVD
- Исследование структурных, оптических и фотоэлектрических свойств функциональных материалов методами рентгеновской спектроскопии, люминесценции и фотовольтаики
- Постростовая обработка эпитаксиальных пластин и разработка дизайна чиповых структур
Компания Интех Инжиниринг предлагает услуги по разработке дизайна и синтеза эпитаксиальных гетероструктур методом MOCVD для задач оптоэлектроники и фотоники. Среди предлагаемых нами решений – объемные и квантоворазмерные светоизлучающие и фотоприемные гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов группы A3B5
| Тип эпитаксиальной структуры | Материалы | Применение |
| наногетероструктуры с одной или несколькими квантовыми ямами | система GaAs/(Al)GaAs/InGaAs | мощные лазерные диоды и светодиоды коротковолнового ИК диапазона 800 – 1080 нм |
| биполярные объемные гетероструктуры | система InP/InGaAs(P) | PIN фотодиоды и лавинные фотодиоды коротковолнового ИК диапазона 900 – 2600 нм |
| биполярные и униполярные объемные гетероструктуры с высокими потенциальным барьерами | система GaSb/InAsSb/AlGaAsSb | фотодиоды и лавинные фотодиоды с раздельными областями поглощения и фотоумножения в средневолновом ИК диапазоне 1.9 – 4.6 мкм |
| наногетероструктуры с напряженными сверхрешетками II-типа | система T2SL GaSb/InAs | неохлаждаемые/охлаждаемые матричные фотодетекторы средневолнового и дальневолнового ИК диапазона 3 – 5 мкм и 8 – 14 мкм |
| объемные метаморфные гетероструктуры | система GaAs/In(x)Ga(1-x)As/InAlGaAs | фотоэлектрические преобразователи мощного лазерного излучения 980 – 1064 нм; |
| многослойные наногетероструктуры с квантовыми ямами | система InP/InGaAs(P) | электрооптические модуляторы на основе Эффекта Штарка для систем интегральной фотоники |
-
Конвейерная сборка оптоэлектронных устройств, включающая автоматические установки посадки чипа на носитель (корпус, теплоотвод), разварки контактных перемычек и промежуточной буфер, а также дополнительное оборудование и оснастка – дозаторы клея, ИК-печь для термосушки образцов, прецизионный механический разварщик, рамки, корпуса, магазины и др. оснастка. Линия оптимизирована под посадку чипов на адгезив и наилучшим образом подходит для задач светодиодной техники, а также производства лазерных диодов, фото и радиоэлектронных устройств малых и средних мощностей. Основные параметры производительности линии:
– Точность посадки кристалла от ±38 до ±10 мкм
– Точность нанесения контактных перемычек ± 3 мкм
– Производительность автомата посадки порядка 15 тыс. чипов в час
– Производительность автомата разварки порядка 20 операций в сек
- Поставка, ввод в эксплуатацию, обучение и сервисное обслуживание технологического оборудования для производства устройств оптоэлектроники, СВЧ техники и интегральной фотоники
- Услуги по разработке спектральных и фотометрических программно-аппаратных комплексов, проведение испытаний источников излучения различных конструкции на оборудовании собственного производства (спектрорадиометры, гониофотометры), аттестация измерительного оборудования и внесение в Гос. реестр СИ
Система измерения фотометрических характеристик светодиодных источников и ламп
Более подробную консультацию по перечню предлагаемых услуг и технологий вы можете получить обратившись к специалистам нашей компании.