Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение Интех Инжиниринг, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:

  • Разработка дизайна полупроводниковых гетероструктур для задач оптоэлектроники
  • Расчет и оптимизация оптических, электрических и тепловых характеристик оптоэлектронных устройств
  • Эпитаксиальный рост светоизлучающих и фотоприемных гетероструктур методом MOCVD
  • Исследование структурных, оптических и фотоэлектрических свойств функциональных материалов методами рентгеновской спектроскопии, люминесценции и фотовольтаики
  • Постростовая обработка эпитаксиальных пластин и разработка дизайна чиповых структур

Компания Интех Инжиниринг предлагает услуги по разработке дизайна и синтеза эпитаксиальных гетероструктур методом MOCVD для задач оптоэлектроники и фотоники. Среди предлагаемых нами решений – объемные и квантоворазмерные светоизлучающие и фотоприемные гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов группы A3B5

Тип эпитаксиальной структуры Материалы Применение
наногетероструктуры с одной или несколькими квантовыми ямами система GaAs/(Al)GaAs/InGaAs мощные лазерные диоды и светодиоды коротковолнового ИК диапазона 800 – 1080 нм
биполярные объемные гетероструктуры система InP/InGaAs(P) PIN фотодиоды и лавинные фотодиоды коротковолнового ИК диапазона 900 – 2600 нм
биполярные и униполярные объемные гетероструктуры с высокими потенциальным барьерами система GaSb/InAsSb/AlGaAsSb фотодиоды и лавинные фотодиоды с раздельными областями поглощения и фотоумножения в средневолновом ИК диапазоне 1.9 – 4.6 мкм
наногетероструктуры с напряженными сверхрешетками II-типа система T2SL GaSb/InAs неохлаждаемые/охлаждаемые матричные фотодетекторы средневолнового и дальневолнового ИК диапазона 3 – 5 мкм и 8 – 14 мкм
объемные метаморфные гетероструктуры система GaAs/In(x)Ga(1-x)As/InAlGaAs фотоэлектрические преобразователи мощного лазерного излучения 980 – 1064 нм;
многослойные наногетероструктуры с квантовыми ямами система InP/InGaAs(P) электрооптические модуляторы на основе Эффекта Штарка для систем интегральной фотоники
  • Конвейерная сборка оптоэлектронных устройств, включающая автоматические установки посадки чипа на носитель (корпус, теплоотвод), разварки контактных перемычек и промежуточной буфер, а также дополнительное оборудование и оснастка – дозаторы клея, ИК-печь для термосушки образцов, прецизионный механический разварщик, рамки, корпуса, магазины и др. оснастка. Линия оптимизирована под посадку чипов на адгезив и наилучшим образом подходит для задач светодиодной техники, а также производства лазерных диодов, фото и радиоэлектронных устройств малых и средних мощностей. Основные параметры производительности линии: 

          – Точность посадки кристалла от ±38 до ±10 мкм

          – Точность нанесения контактных перемычек ± 3 мкм

          – Производительность автомата посадки порядка 15 тыс. чипов в час

          – Производительность автомата разварки порядка 20 операций в сек

  • Поставка, ввод в эксплуатацию, обучение и сервисное обслуживание технологического оборудования компании ASM Pacific Technology для производства устройств оптоэлектроники, СВЧ техники и интегральной фотоники
  • Услуги по разработке спектральных и фотометрических программно-аппаратных комплексов, проведение испытаний источников излучения различных конструкции на оборудовании собственного производства (спектрорадиометры, гониофотометры), аттестация измерительного оборудования и внесение в Гос. реестр СИ 

Система измерения фотометрических характеристик светодиодных источников и ламп

 

Более подробную консультацию по перечню предлагаемых услуг и технологий вы можете получить обратившись к специалистам нашей компании.

Форма обратной свяи

    Пожалуйста, докажите, что вы человек, выбрав дом.