Представлено 2 товара

Недавно смотрели
Закрыть

InGaAs лавинные фотодиоды с большой активной областью

  • Длины волн 0,9–1,7 мкм
  • Тип корпyса Chip/CLCC/TO-Can
  • Диаметр фотоэлемента 200 мкм
Спецификация Спецификация
Закрыть

Si лавинные фотодиоды

  • Диапазон 400 - 1100 нм
  • Активная область 230, 500 мкм
  • Напряжение пробоя 100 - 220 В
  • Время нарастания < 1.5 нс
  • Темновой ток < 1 нА