КаталогЛавинные фотодиоды с большой активной областью
-
InGaAs лавинные фотодиоды с большой активной областью
Добавить в корзину- Длины волн 0,9–1,7 мкм
- Тип к орпyса Chip/CLCC/TO-Can
- Диаметр фотоэлемента 200 мкм
-
Si лавинные фотодиоды
Добавить в корзину- Диапазон 400 - 1100 нм
- Активная область 230, 500 мкм
- Напряжение пробоя 100 - 220 В
- Время нарастания < 1.5 нс
- Темновой ток < 1 нА
