Одномодовые лазерные диоды 974-980 нм применяются для систем накачки волоконных усилителей (EDFA) и широкополосных ASE-источников, в качестве источника излучения в высокочувствительных волоконных гироскопах и задающего генератора в импульсных волоконных лазерах. Мы предлагаем лазерные диоды как в чиповом исполнении (немонтированные или монтированные на сабмаунте), так и корпусированные изделия с волоконным выводом излучения со стабилизированным спектром и оптической мощностью от 250 до 1500 мВт в непрерывном режиме генерации.
Технические характеристики
| Параметр |
Ед. изм. |
Мин. значение |
Тип. значение |
Макс. значение |
Условие измерения |
| Оптическая мощность |
мВт |
300 |
|
600 |
Iop, t=25 ℃ |
| Центральная длина волны |
|
974.0 |
|
975.0 |
|
| Ширина спектра |
нм |
|
|
0.5 |
|
| Нестабильность оптической мощности |
% |
|
|
4 |
|
| Длина волоконного вывода |
|
1.6 м |
|
|
|
| Пороговый ток |
мА |
|
|
60 |
|
| Рабочий ток |
мА |
|
|
1000 |
|
| Рабочее напряжение |
В |
|
|
1.9 |
|
| Рабочий ток TEC-элемента |
А |
|
|
4.1 |
|
| Рабочее напряжение TEC-элемента |
В |
|
|
4.5 |
|
| Рабочая температура |
℃ |
|
-5... +75 |
|
|
| Температура хранения |
℃ |
|
-40... +85 |
|
|
| Коэффициент температурного дрейфа |
нм/℃ |
|
~0.01 |
|
|
| Дополнительно |
|
встроенный контрольный фотодиод |
|
";}i:2;a:3:{s:5:"title";О производителе";id";s:15:"o-proizvoditele";s:0:"";}}