Лазерные диоды 1064 нм, 10 Вт на сабмаунте

Центр. длина волны 1064 нм
Оптическая мощность 10 Вт (CW)
Ширина спектра < 2.5 нм
Ширина эмиттера 190 мкм
Рабочий ток 14 А

Количество

шт

Под заказ

Производитель Everbright

Мощные лазерные диоды диапазона 1064 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с эффективностью электро-оптического преобразования свыше 54% и порогового тока менее 2 А. Лазерные диоды 1064 нм нашли широкое применение в технологических системах обработки материалов, медицине, научных исследованиях и других областях.

Технические характеристики

Параметр	Тип. значение
Тип корпуса	немонтированный чип, COS, TO-can
Центральная длина волны	1064 нм
Оптическая мощность (CW)	10 Вт
Ширина спектра (FWHM)	2.5 нм
Рабочее напряжение	1.7 В
Пороговый ток	1.8 А
Эффективность электро-оптического преобразования	54%
Угол расходимости излучения по быстрой оси	30 град
Угол расходимости излучения по медленной оси	10 град
Рабочий ток	14 А
Длина чипа (резонатора)	4000 мкм
Ширина чипа	500 мкм
Толщина чипа	150 мкм
Ширина эмиттера	190 мкм