Лазерные диоды 638 нм, 500 мВт на сабмаунте

Центр. длина волны 638 нм
Оптическая мощность 500 мВт (CW)
Ширина спектра 1 нм
Ширина эмиттера 40 мкм
Рабочий ток 0.7 А

Количество

шт

Под заказ

Производитель Everbright

Мощные лазерные диоды диапазона 635-640 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с увеличенным внутренним квантовым выходом. Эффективность электро-оптического преобразования предлагаемых лазерных диодов достигает 40%, а рабочий ресурс до 60000 ч при комнатной температуре. Лазерные диоды 635-640 нм находят широкое применение в лазерных проекторах, дисплеях и системах лазерной подсветки.

Технические характеристики

Параметр	Тип. значение
Тип корпуса	немонтированный чип, COS, TO-can
Центральная длина волны	638 нм
Оптическая мощность (CW)	500 мВт
Ширина спектра (FWHM)	1 нм
Рабочее напряжение	2.1 В
Пороговый ток	0.2 А
Эффективность электро-оптического преобразования	> 32%
Угол расходимости излучения по быстрой оси	36 град
Угол расходимости излучения по медленной оси	10 град
Рабочий ток	0.7 А
Длина чипа	1500 мкм
Ширина чипа	300 мкм
Толщина чипа	150 мкм
Ширина эмиттера	40 мкм