Лазерные диоды 755 нм, 8 Вт на сабмаунте

Центр. длина волны 755 нм
Оптическая мощность 8 Вт (CW)
Ширина спектра 2 нм
Ширина эмиттера 350 мкм
Рабочий ток 8 А

Количество

шт

Под заказ

Производитель Everbright

Мощные лазерные диоды диапазона 755 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с эффективностью электро-оптического преобразования свыше 50% и порогового тока менее 2 А. Лазерные диоды 755 нм находят широкое в медицинских лазерных установках предназначенных для активации молекул меланина в слоях дермы кожи.

Технические характеристики

Параметр	Тип. значение
Тип корпуса	немонтированный чип, COS, TO-can
Центральная длина волны	755 нм
Оптическая мощность (CW)	8 Вт
Ширина спектра (FWHM)	2 нм
Рабочее напряжение	1.9 В
Пороговый ток	< 2 А
Эффективность электро-оптического преобразования	52%
Угол расходимости излучения по быстрой оси	36 град
Угол расходимости излучения по медленной оси	10 град
Рабочий ток	8 А
Длина чипа	2500 мкм
Ширина чипа	500 мкм
Толщина чипа	150 мкм
Ширина эмиттера	350 мкм