Лазерные диоды 880 нм, 10 Вт на сабмаунте

Центр. длина волны 880 нм
Оптическая мощность 10 Вт (CW)
Ширина спектра < 2.5 нм
Ширина эмиттера 190 мкм
Рабочий ток 12 А

Количество

шт

Под заказ

Производитель Everbright

Мощные лазерные диоды диапазона 880 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с эффективностью электро-оптического преобразования свыше 50% и порогового тока менее 1.7 А. Лазерные диоды 880 нм нашли широкое применение в системах оптической накачки твердотельных Nd:YVO4 и Nd:YLF-лазеров, косметологии, научных исследованиях и других областях.

Технические характеристики

Параметр	Тип. значение
Тип корпуса	немонтированный чип, COS, TO-can
Центральная длина волны	880 нм
Оптическая мощность (CW)	10 Вт
Ширина спектра (FWHM)	2.5 нм
Рабочее напряжение	1.8 В
Пороговый ток	1.6 А
Эффективность электро-оптического преобразования	53%
Угол расходимости излучения по быстрой оси	35 град
Угол расходимости излучения по медленной оси	10 град
Рабочий ток	12 А
Длина чипа (резонатора)	4000 мкм
Ширина чипа	500 мкм
Толщина чипа	150 мкм
Ширина эмиттера	190 мкм