Узкополосные лазерные диоды 1250 - 1700 нм

Длина волны: 1260 - 1665 нм
Оптическая мощность: до 50 мВт
Ширина спектра: <200 кГц
Внешняя модуляция: до 622 МГц
Тип корпуса: BTF 14-pin/DIL 14-pin
Тип волокна: SMF-28/PM Panda, FC/APC

Количество

шт

Под заказ

Производитель Denselight Semiconductors

DL-CLS - серия узкополосных лазерных диодов с полосой генерации до 5 кГц для применения в системах высокоточной оптической рефлектометрии, лазерной дальнометрии и LIDAR, дистанционных комплексах мониторинга загрязнения окружающей среды, а также в качестве генератора задающего сигнала в волоконных лазерах и источниках микроволнового и терагерцового излучения. Устройство представляет собой узкополосный источник излучения со стабилизированным спектром (+/- 1 пм), выходной мощностью до 50 мВт и низким уровнем шума RIN&"lt"-140 дБ/Гц. Для вывода излучения может быть использовано волокно как SM, так и PM-типа. В качестве дополнительной опции предусмотрена возможность использования источника в режиме прямой модуляции излучения с частотой до 622 МГц.

Технические характеристики

Модель	Центральная длина волны, нм	Режим генерации	Минимальная оптическая мощность, мВт	Ширина спектра (FWHM), кГц	SMSR, дБ	Тип корпуса
DL-CLS051B-S1260	1260	CW	5	<200	45	BTF
DL-CLS051D-S1260	1260	CW	5	<200	45	DIL
DL-CLS309B-S1260	1260	Pulse	30	<200	45	BTF
DL-CLS309D-S1260	1260	Pulse	30	<200	45	DIL
DL-CLS051B-S1383	1383	CW	5	<200	45	BTF
DL-CLS051D-S1383	1383	CW	5	<200	45	DIL
DL-CLS409B-S1383	1383	Pulse	40	<200	45	BTF
DL-CLS409D-S1383	1383	Pulse	40	<200	45	DIL
DL-CLS101B-S1550	1550	CW	10	<200	45	BTF
DL-CLS101B-FP-S1550-LW200	1550	CW	10	<200	45	BTF
DL-CLS101B-FP-S1550-LW100	1550	CW	10	<100	45	BTF
DL-CLS509B-S1550	1550	Pulse	50	<200	45	BTF
DL-CLS051B-S1648	1648	CW	5	<200	45	BTF
DL-CLS051D-S1648	1648	CW	5	<200	45	DIL
DL-CLS259B-S1648	1648	Pulse	25	<200	45	BTF
DL-CLS081B-S1653	1653	CW	8	<200	45	BTF
DL-CLS051B-S1665	1665	CW	5	<200	45	BTF

;Denselight Semiconductors - это вертикальное полностью интегрированное серийное производство: от изготовления эпитаксиальных полупроводниковых пластин до тестирования и упаковки plug & play источников излучения. Инженерные, испытательные и производственные помещения расположены в чистом помещении площадью 15 000 кв. футов. Компания предлагаем комплексные решения для пользователей, представляющих как промышленные, так и научно-исследовательские организации, ведущие свою деятельность в области оптических телекоммуникаций, диагностического медицинского оборудования и оптической сенсорики. Линейка продукции компании включает: эпитаксиальные гетероструктуры на основе группы материалов InP/InGaAsP/AlGaAs, чиповые структуры FP, DFB лазеров и оптических усилителей (SOA), корпусированные лазерные диоды и суперлюминесцентные диоды с волоконным выводом излучения, узкополосные лазерные модули и широкополосные источники суперлюминесцентного излучения. Все продукты компании проходят жесткий контроль качества на всех этапах производства.