Полупроводниковые DFB-лазеры 767-852 нм

Длины волн 767,780,795,852 нм
Полоса генерации ≤1 МГц
Выходная мощность до 150 мВт
Нестабильность мощности ≤0.05%
Диапазон перестройки +/- 1 нм

Количество

шт

Под заказ

Производитель UniQuanta

Полупроводниковые DFB лазеры появились с развитием волоконно-оптической связи и интегральных оптических схем. Главной особенностью этих устройств заключается в том, что генерация лазерного излучения обеспечивается оптической связью, образованной периодической структурой материала (или дифракционной решеткой), а не полостью резонатора, образованного между плоскостями кристаллических сколов. Структура DFB - лазера показана на рисунке 1. Поверхность лазерной среды имеет периодическую гофрированную форму , поэтому данная решетчатая структура может полноценно выполнять функции резонатора. Частота лазерного излучения в этом случае полностью определяется период решетки Т.

Рис.1 Структура DFB-лазера

DFB - лазеры имеют широкие возможности перестройки частоты излучения. На рисунках 2 и 3 показана взаимосвязь между длиной волны типичного DFB -лазера, током и рабочей температурой. Скорость электрической модуляции лазера составляет 0,8 ГГц/мА , а частота модуляции температуры лазера составляет около 24 МГц/мК . На рис. 4 показан спектр насыщенного поглощения, полученный при облучении ячейки с атомарным цезием DFB-лазером с длиной волны 852 нм.

Рис.2 Зависимость между длиной волны 852 нм DFB-лазера и током инжекции" Рис.3 Длина волны 852 нм DFB-лазера в зависимости от рабочей температуры

Рис. 4. Линия насыщения атомов цезия, генерируемая DFB-лазером с длиной волны 852 нм для устранения доплеровского фона.

Особенности DFB-лазеров

большой динамический диапазон захвата частоты
низкий температурный дрейф
простота получения одномодового одночастотного излучения
простота сопряжения с оптическими волокнами, модуляторами и т. д.
высокая стабильность

Применение

прецизионная интерферометрия
оптические стандарты частоты
атомные часы
оптическая связь
лазерные гироскопы
исследования в области прецизионной спектроскопии

Технические характеристики

Центральная длина волны	767 нм	780/795нм	852 нм
Выходная оптическая мощность	50 мВт	80 мВт	100/150 мВт
Диапазон регулировки длины волны	±1нм
Диапазон перестройки без перескока мод	>100 ГГц
Ширина полосы генерации	≤1 МГц при 50 мс
Нестабильность оптической мощности	Пространственный вывод излучения: ≤0,05% при 10 мин, ≤0,5% при 10 ч (изменение температуры окружающей среды менее 2 ℃); Волоконный вывод излучения: ≤1%@1ч (изменение температуры окружающей среды менее 2℃)
Высота оптической оси	50мм
Волоконный вывод излучения	Оптическое волокно с сохранением поляризации (FC/APC разъем), эффективность сопряжения ≥65%*, коэффициент затухания ≥25 дБ
Рабочая температура	Диапазон регулировки температуры: 15-40 ℃, нестабильность: ≤1 мК при 10 часах
Рабочий ток	Диапазон регулировки тока : 0–200 мА, пульсирующий шум: ≤1 мкА, долговременный дрейф: ≤5 мкА, полоса обратной связи: 150 кГц
Габариты	Оптический блок: 1426577 мм ³ Блок питания: 300340150 мм3; Стабилизатор частоты: 483340150 мм ³
Условия эксплуатации	Температура: 20-30℃, влажность: 20-70%

;

Beijing Unilight Technology Co., Ltd. является высокотехнологичным предприятием на основе Научного парка Пекинского университета и Школы информационных наук и технологий Пекинского университета. Продукция предприятия охватывает полупроводниковые лазеры с внешним резонатором, полупроводниковые лазерные усилители, лазерные системы со стабилизированной частотой, лазерные системы с удвоением частоты и различные промежуточные и передовые оптоэлектронные обучающие продукты. Компания придерживается концепции технологических инноваций, уделяет пристальное внимание передовым научным исследованиям, реализует сочетание производства, обучения и исследований и предоставляет высокопроизводительные, высококачественные оптоэлектронные устройства и различные оптические технологические решения для отечественных и зарубежных университетов, научно-исследовательских институтов и промышленных предприятий.