Полупроводниковый лазер с внешним резонатором

Полупроводниковый лазер с внешним резонатором ECL801 представляет собой продукт, основанный на результатах исследований физики холодных атомов в Пекинском университете. Лазерное излучение, генерируемое полупроводниковой структурой во внешнем резонаторе с конструкцией Литтроу, формирует на отражающей дифракционной решетке исходящий лазерный пучок «0» порядка дифракции, в то время как дифрагированное излучение «1» порядка отражается обратно в активную область полупроводникового лазера для селективной генерации узкой полосы излучения (рис . 1 ). Преимущества полупроводникового лазера с внешним резонатором со структурой Литтроу заключаются в простоте конструкции и надежности использования. В конструкции ECL801 добавлена ​​непосредственная связь по току для расширения диапазона непрерывной перестройки лазера (см. рис . 3 ). Кроме того, для совместной работы со стабилизатором частоты, полупроводниковый лазер с внешним резонатором ECL801 Littrow имеет функцию модуляции тока и модуляцию внешнего резонатора ( PZT), которые позволяют достичь наилучшей оптимизации для различных условий эксперимента.

Рис.1 Схематичная диаграмма лазера с внешним резонатором конструкции Литтроу" Рис.2 Вид оптического блока с внешним резонатором

Рис.3 (а) Спектр насыщения поглощения атомов рубидия" Рис.3 ( б ) Сверхтонкий спектр изотопов Rb 85 и Rb 87 a и b

Рис. 4 (a) Спектр продольной моды полупроводникового лазера с внешним резонатором ECL801" Рисунок 4 (b) Спектр биений полосы генерации полупроводникового лазера с внешним резонатором ECL801