Подложки GaAs

Диаметр до 6 дюймов
Толщина 0.35 - 0.65 мм
Одна/двухсторонняя полировка
Ориентация <100>,<110>, <111>

Количество

шт

Арсенид галлия (GaAs), пожалуй, наиболее востребованный материал для создания устройств оптоэлектроники и СВЧ-техники благодаря высокой подвижностью электронов. Подложки GaAs применяется при создании эпитаксиальных гетероструктур для светодиодов, лазерных диодов, фотоэлектрических преобразователей, транзисторов с высокой подвижностью электронов и биполярных транзисторов.

Технические характеристики

Метод роста	VGF, VB
Диаметр	2, 3, 4, 6"
Толщина	0.35, 0.65 мм
Кристаллографическая ориентация	<100>,<110>, <111>, доступны варианты с разориентацией 6-10 град
Допустимая разориентация	+/- 0.5 град
Легирование	Нелегированная, n- типа (легированная Si), p-типа (легированная Zn)
Концентрация примеси	(0.5 - 2)x10¹⁸ см^-3
Полировка	Односторонняя или двухсторонняя
Плотность поверхностных дефектов (EPD)	<5000/cm2, другие по запросу
Шероховатость	Ra < 5A @ 5x5 мкм

Подложки GaAs

1 ₽

Под заказ

Подложки GaAs

Технические характеристики

Подложки InP

Подложки GaN

Подложки InAs

Подложки InSb