+7 (812) 565-60-60
Работаем по России и странам
Таможенного Союза
Пн - Пт 9:00 - 18:00 (Мск)
Малошумящие Si PIN-детекторы с усилителем KY-PRM

Малошумящие Si PIN-детекторы с усилителем KY-PRM

  • Диапазон 400~1100 нм
  • Диаметр фотоэлемента 0.2-4.2 мм
  • Полоса пропускания до 1.5 ГГц
  • Время нарастания < 350 нс
  • Оптический вход FC/APC или Free space
1 ₽
Количество
шт
  • Производитель Keyang Photonics
Малошумящие PIN-фотоприемники серии KY-PRM объединяют высоколинейный аналоговый PIN-детектор (GaN, Si  или InGaAs) и малошумящий широкополосный трансимпедансный усилитель с высоким коэффициентом усиления, высокой чувствительностью, сопряжению по переменному току и равномерным усилением. Модуль питается от положительного напряжения 12 В, а входной оптический интерфейс доступен как для оптического волокна, так и для пространственных источников излучения. Волоконный интерфейс универсален для одномодового и многомодового оптического волокна.  Электрический сигнал передается через аналоговый выход SMA. Фотодетекторы в основном используются для анализа амплитудно-фазовых характеристик пико и нано секундных оптических импульсов, лазерной связи, лазерных радарах, оптоволоконной системе зондирования и других приложениях. Также фотоприемные модули доступны в мультиканальном исполнении.

Технические характеристики

Параметры производительности
PN KY-PRM-1G-S KY-PRM-200М-С KY-PRM-75M-S KY-PRM-1M-S
Тип детектора Si / PIN
Оптический вход Free Space или FC/APC
Спектральный диапазон 400 ~ 1100 нм
Пиковая фоточувствительность 0.55 А/Вт@850 нм 0.6А/Вт@905 нм 0.6А/Вт@905 нм
Диаметр активной области фотоэлемента 200 мкм 500 мкм 1,2 мм 4,2 мм
Ширина полосы пропускания (3 дБ) 30 К ~ 1,5 ГГц 200 МГц 75 МГц 1 МГц
Усиление* 1x10 3 @ 850 нм 20x10 3 @ 905 нм 30x 103 В/Вт@ 905 нм 2x 10 6 В / Вт при 905 нм
Время нарастания 0,4 нс 1,8 нс 3,5 нс 0,35 мкс
Оптическая мощность насыщения* 2,5 мВт 3,9 мВт 120 мкВт 1,9 мкВт
Сопряжение по тока AC DC
Выходное сопротивление 50 Ом
Эквивалентная мощность шума NEP 25,8 пВт / √Гц 22 пВт / √Гц 16pw / √Гц 1,8 пВт / √Гц
Суммарное выходное шумовое напряжение*  6 мВ 38 мВ 25 мВ 15mV
* При высоком сопротивлении, если нагрузка составляет 50 Ом, соответствующее значение уменьшается вдвое. Кривая спектральной фоточувствительности Малошумящий фотоприемник PIN с усилителем Габариты (единица измерения : мм) Малошумящий фотоприемник PIN с усилителем

С FC-интерфейсом

Малошумящий фотоприемник PIN с усилителем

С Free space интерфейсом

";}i:2;a:3:{title";s:2:"О производителе";s:2:"id";o-proizvoditele";s:1154:"Компания Beijing Keyang Photonics Technology Co., Ltd. расположена в Пекине. Cпециализируется на исследованиях и разработках, производстве, продаже и обслуживании продуктов, связанных с электрооптической модуляцией и фотоэлектрическими технологиями обнаружения. Интех Лайтинг является представителем Keyang Photonics на территории России и предоставляет полную техническую поддержку и наиболее выгодные условия поставки продукции компании.";}}
;Компания Beijing Keyang Photonics Technology Co., Ltd. расположена в Пекине. Cпециализируется на исследованиях и разработках, производстве, продаже и обслуживании продуктов, связанных с электрооптической модуляцией и фотоэлектрическими технологиями обнаружения. Интех Лайтинг является представителем Keyang Photonics на территории России и предоставляет полную техническую поддержку и наиболее выгодные условия поставки продукции компании.
Малошумящие Si PIN-детекторы с усилителем KY-PRM
1 ₽

Лавинные фотодетекторы Si (FС/PC) KY-APRM

1 ₽
Производитель
Keyang Photonics
  • Диапазон 400 - 1100 нм
  • Диаметр фотоэлемента 0.5 мм
  • Полоса пропускания до 1 ГГц
  • Время нарастания < 35 нс
  • Оптическая мощность до 10 мВт
шт

Лавинные Si фотодетекторы (Free space) KY-APRM

1 ₽
Производитель
Keyang Photonics
  • Диапазон 400 - 1100 нм
  • Диаметр фотоэлемента 0.2 - 1 мм
  • Полоса пропускания до 400 МГц
  • Время нарастания < 70 нс
  • Оптическая мощность до 10 мВт
шт

Малошумящие InGaAs-ext. PIN-детекторы с усилителем KY-PRM

1 ₽
Производитель
Keyang Photonics
  • Диапазон 800-3600 нм
  • Диаметр фотоэлемента 80мкм-1мм
  • Полоса пропускания до 150 МГц
  • Время нарастания < 35 нс
  • Оптический вход FC или Free space
шт
Войти Регистрация
Корзина 0 позиций
на сумму 0 ₽