Быстродействующий InGaAs фотодиод с усилителем AMPD-D

Длины волн 1000-1650 нм
Полоса пропускания до 20 ГГц
Оптическая мощность до 10 дБм
Коэффициент усиления до 30 дБ
Амплитудная неравномерность ≤ ± 2 дБ

Количество

шт

Под заказ

Производитель NEON

AMPD-D фотодетектор представляет собой гибрид широкополосного InGaAs PIN-фотодиода и малошумящего усилителя. Диапазон спектральной фоточувствительности PIN-фотодиода составляет от 1000 до 1650 нм. Коэффициент усиления ВЧ-сигнала малошумящего усилителя составляет 30 дБ. AMPD-D может обеспечить полосу пропускания 12 ГГц и 20 ГГц. Модуль работает от напряжения питания +9В и совместим со стандартным одномодовым оптоволокном 9/125 мкм. Выходной ВЧ-канал представляет собой разъем SMA сопротивлением 50 Ом. AMPD-D имеет герметичный корпус и весит менее 23 грамм.

Технические характеристики

Эксплуатационные характеристики
Параметр	Типовое значение	Максимальный диапазон	Ед. изм
Диапазон температуры хранения	-45 ～ +85	-55 ～ +100	℃
Диапазон рабочих температур	25	-40 ～ +85	℃
Напряжение смещения	9	+9 ～ +12	В
Оптическая входная мощность	0	10	дБм
Предельная оптическая мощность	–	13	дБм