InGaAs лавинные фотодиоды с большой активной областью

Длины волн 0,9–1,7 мкм
Тип к орпyса Chip/CLCC/TO-Can
Диаметр фотоэлемента 200 мкм

Количество

шт

Под заказ

Описание

Компания Интех Лайтинг предлагает серию высококачественных лавинных фотодиодов на основе объемных материалов InP/InGaAs c диаметром фоточувствительного элемента 200 мкм и диапазоном спектральной чувствительности 900 1700 нм. В ответ на растущий спрос на датчики низкой освещенности (например, LIDAR) компания предлагает лавинные фотодиоды InGaAs с термоэлектрическим охлаждением на основе компактного корпуса TO-46. При минимальном потреблении энергии на охлаждение (&"lt"0,3 Вт) для работы при низких температурах или при контролируемой температуре эти фотодиоды демонстрируют лучшую чувствительность и стабильность, чем обычные неохлаждаемые APD. Лавинные фотодиоды доступны в виде немонтированных чипов, чипов на керамическом носителе (CLCC) или в металлических TO-корпусах с охлаждением и без.